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BD501	文件：109.89 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION ·Collector-EmitterSustainingVoltage-:VCEO(SUS)=50V(Min) 80V(Min) ·HighPowerDissipation APPLICATIONS ·Designedforuseinhighpoweraudioamplifiersutilizingcomplementaryorquasicomplementary	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
BD501	文件：128.02 Kbytes Page：2 Pages	Silicon NPN Power Transistors	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
BD501B	文件：109.89 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION ·Collector-EmitterSustainingVoltage-:VCEO(SUS)=50V(Min) 80V(Min) ·HighPowerDissipation APPLICATIONS ·Designedforuseinhighpoweraudioamplifiersutilizingcomplementaryorquasicomplementary	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
BD501B	文件：128.02 Kbytes Page：2 Pages	Silicon NPN Power Transistors	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
BD501N	文件：245.62 Kbytes Page：2 Pages	50 AMP BLOCK DIODES	SHUNYEShunye Enterprise 顺烨电子江苏顺烨电子有限公司	SHUNYE
BD501P	文件：245.62 Kbytes Page：2 Pages	50 AMP BLOCK DIODES	SHUNYEShunye Enterprise 顺烨电子江苏顺烨电子有限公司	SHUNYE
501	文件：346.04 Kbytes Page：4 Pages	SurfaceMountFuses	LittelfuseLittelfuse Inc. 力特力特公司	Littelfuse
501	文件：620.34 Kbytes Page：2 Pages	NI/CUPOLYESTERTAFFETAFABRIC-OVER-FOAM	LSTD Laird Tech Smart Technology	LSTD
501	文件：610.57 Kbytes Page：1 Pages	BifurcatedContactsinStandardDIPSocketswithSolderTailsorWireWrapPins	ARIES Aries Electronics,inc	ARIES
501	文件：141.74 Kbytes Page：2 Pages	HCMOS/TTL/ClippedSine	OSCILENT Oscilent Corporation	OSCILENT
501	文件：381.96 Kbytes Page：1 Pages	Capacity(20-hour)85Ah	GSYUASABATTERYGS Yuasa Battery Sales UK Ltd GSYUASABATTERYGS Yuasa Battery Sales UK Ltd	GSYUASABATTERY
501A-DPK	文件：176.36 Kbytes Page：6 Pages	LOCO??PLLCLOCKMULTIPLIER Description TheICS501ALOCOTMisthemostcosteffectivewaytogenerateahighquality,highfrequencyclockoutputfromalowerfrequencycrystalorclockinput.ThenameLOCOstandsforLowCostOscillator,asitisdesignedtoreplacecrystaloscillatorsinmostelectronicsystems.UsingP	IDTIntegrated Device Technology, Inc. 集成器深圳市集成器件技术有限公司	IDT
501A-DPK	文件：85.8 Kbytes Page：6 Pages	LOCOPLLCLOCKMULTIPLIER	IDTIntegrated Device Technology, Inc. 集成器深圳市集成器件技术有限公司	IDT
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501AMILF	文件：176.36 Kbytes Page：6 Pages	LOCO??PLLCLOCKMULTIPLIER Description TheICS501ALOCOTMisthemostcosteffectivewaytogenerateahighquality,highfrequencyclockoutputfromalowerfrequencycrystalorclockinput.ThenameLOCOstandsforLowCostOscillator,asitisdesignedtoreplacecrystaloscillatorsinmostelectronicsystems.UsingP	IDTIntegrated Device Technology, Inc. 集成器深圳市集成器件技术有限公司	IDT
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501AMILFT	文件：176.36 Kbytes Page：6 Pages	LOCO??PLLCLOCKMULTIPLIER Description TheICS501ALOCOTMisthemostcosteffectivewaytogenerateahighquality,highfrequencyclockoutputfromalowerfrequencycrystalorclockinput.ThenameLOCOstandsforLowCostOscillator,asitisdesignedtoreplacecrystaloscillatorsinmostelectronicsystems.UsingP	IDTIntegrated Device Technology, Inc. 集成器深圳市集成器件技术有限公司	IDT
501AMLF	文件：176.36 Kbytes Page：6 Pages	LOCO??PLLCLOCKMULTIPLIER Description TheICS501ALOCOTMisthemostcosteffectivewaytogenerateahighquality,highfrequencyclockoutputfromalowerfrequencycrystalorclockinput.ThenameLOCOstandsforLowCostOscillator,asitisdesignedtoreplacecrystaloscillatorsinmostelectronicsystems.UsingP	IDTIntegrated Device Technology, Inc. 集成器深圳市集成器件技术有限公司	IDT

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晶体管资料

型号：
BD501(A,B)
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-NPN
性质：
低频或音频放大（LF）_功率放大（L）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
60V
最大电流允许值：
10A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
3
可代换的型号：
BD809,
最大耗散功率：
75W
放大倍数：
图片代号：
B-10
vtest：
60
htest：
999900
atest：
10
wtest：
75

详细参数

型号：
BD501
制造商：
ISC
制造商全称：
Inchange Semiconductor Company Limited
功能描述：
isc Silicon NPN Power Transistors

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市一线半导体有限公司	BD501			TO-220	10000	全新	询价
深圳市永贝尔科技有限公司	BD501	ISC	23+	NA	19960	只做进口原装,终端工厂免费送样	询价
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深圳市国宇半导体科技有限公司	BD501	NXP/恩智浦	23+	TO-220	10000	公司只做原装正品	询价
深圳市河锋鑫科技有限公司	BD501	NXP/恩智浦	22+	TO-220	6000	十年配单,只做原装	询价
深圳芯力源电子科技有限公司	BD501	N/A	23+	QFN-12	5177	现货	询价
无锡固电半导体股份有限公司	BD501	isc	2024	TO-220	8000	国产品牌isc,可替代原装	询价

更多BD501供应商更新时间2024-6-3 16:00:00

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