| 零件编号 | 下载&订购 | 功能描述 | 制造商&上传企业 | LOGO |
|---|---|---|---|---|
BD545B | isc Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION •CollectorCurrent-IC=15A •Collector-EmitterBreakdownVoltage- :V(BR)CEO=40V(Min)-BD545;60V(Min)-BD545A 80V(Min)-BD545B;100V(Min)-BD545C •ComplementtoTypeBD546/A/B/C APPLICATIONS •Designedforuseingeneralpurposepoweramplif | ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司 | ISC | |
BD545B | NPN SILICON POWER TRANSISTORS NPNSILICONPOWERTRANSISTORS ●DesignedforComplementaryUsewiththeBD546Series ●85Wat25°CCaseTemperature ●15AContinuousCollectorCurrent ●Customer-SpecifiedSelectionsAvailable | NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司 | NJSEMI | |
BD545B | NPN SILICON POWER TRANSISTORS NPNSILICONPOWERTRANSISTORS ●DesignedforComplementaryUsewiththeBD546Series ●85Wat25°CCaseTemperature ●15AContinuousCollectorCurrent ●Customer-SpecifiedSelectionsAvailable | POINNPower Innovations Ltd Power Innovations Ltd | POINN | |
BD545B | NPN SILICON POWER TRANSISTORS | BournsBourns Inc. 伯恩斯（邦士） | Bourns | |
包装：管件 封装/外壳：TO-218-3 类别：分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个 描述：TRANS NPN 80V 15A SOT93 | BournsBourns Inc. 伯恩斯（邦士） | Bourns | ||
DOLBY-BNOISEPROCESSOR | etc2List of Unclassifed Manufacturers etc2未分类制造商 | etc2 | ||
545providesthefollowingproductcharacteristics | HENKELHenkel Korea Limited. 韩国汉高 | HENKEL | ||
GaAsMMICSPDTSWITCH,DC-3GHz | Hittite HITTITE | Hittite | ||
TO-8CASCADABLEAMPLIFIERS | TELEDYNE TELEDYNE | TELEDYNE | ||
MonolithicPrecision,LowDriftFET-InputOpAmp
| ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司 | AD | ||
MonolithicPrecision,LowDriftFET-InputOpAmp
| ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司 | AD | ||
MonolithicPrecision,LowDriftFET-InputOpAmp
| ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司 | AD | ||
MonolithicPrecision,LowDriftFET-InputOpAmp
| ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司 | AD | ||
MonolithicPrecision,LowDriftFET-InputOpAmp
| ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司 | AD | ||
SchottkyBarrierDiode | ZOWIEZOWIE 智威智威科技股份有限公司 | ZOWIE | ||
CONNECTORS,ELECTRIC,RECTANGULAR,NONENVIRONMENTAL,MINIATURE,POLARIZEDSHELL,RACKANDPANEL,GENERALSPECIFCATIONFOR | ITTITT Industries ITT工业 | ITT | ||
DETAILSPECIFICATION HighReliability,MilitaryDSubminature,&Non-Magnetic/No-Outgas | ITTITT Industries ITT工业 | ITT | ||
AccessoriesHardware | etc2List of Unclassifed Manufacturers etc2未分类制造商 | etc2 | ||
AccessoriesHardware [NKKSwitches] HardwareThreading Manyhardwarepiecesareavailableinbothmetricandinchthreading,andinsuchcasesM(metric)andH(inch)arenotedinthedescriptions.ThecustomermustselectthreadingbyplacinganMorHafterthebasicATpartnumber.Ifthehardwareisavailable | ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商 | ETC | ||
Low-leakagediode | PhilipsROYAL PHILIPS 飞利浦荷兰皇家飞利浦 | Philips |
晶体管资料
- 型号：
- 别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
- 生产厂家：
- 制作材料：
Si-NPN
- 性质：
低频或音频放大 （LF）_功率放大 （L）
- 封装形式：
直插封装
- 极限工作电压：
80V
- 最大电流允许值：
15A
- 最大工作频率：
<1MHZ或未知
- 引脚数：
3
- 可代换的型号：
BD709,BD743B,BD909,3DD69C,
- 最大耗散功率：
85W
- 放大倍数：
- 图片代号：
B-10
- vtest：
80
- htest：
999900
- atest：
15
- wtest：
85
详细参数
- 型号：
BD545B
- 功能描述：
两极晶体管 - BJT 70W NPN Silicon
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
PNP 集电极—基极电压
- VCBO：
集电极—发射极最大电压
- VCEO：
- 40 V 发射极 - 基极电压
- VEBO：
- 6 V
- 增益带宽产品fT：
直流集电极/Base Gain hfe
- Min：
100 A
- 安装风格：
SMD/SMT
- 封装/箱体：
PowerFLAT 2 x 2
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
TO-220 |
10000 |
全新 |
询价 | ||||
BOURNS |
23+ |
NA |
19960 |
只做进口原装,终端工厂免费送样 |
询价 | ||
TI |
21+ |
35200 |
一级代理/放心采购 |
询价 | |||
BOURNSINC |
23+ |
TO-3P |
10000 |
公司只做原装正品 |
询价 | ||
BOURNSINC |
22+ |
TO-3P |
6000 |
十年配单,只做原装 |
询价 | ||
ST |
23+ |
TO-220 |
16900 |
支持样品,原装现货,提供技术支持! |
询价 | ||
N/A |
23+ |
原厂封装 |
5177 |
现货 |
询价 | ||
ST |
22+ |
TO-220 |
16900 |
支持样品 原装现货 提供技术支持! |
询价 | ||
BOURNSINC |
22+ |
TO-3P |
25000 |
只做原装进口现货,专注配单 |
询价 | ||
BOURNSINC |
24+ |
TO-3P |
12300 |
独立分销商,公司只做原装,诚心经营,免费试样正品保证 |
询价 |
