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BC858A	文件：922.79 Kbytes Page：7 Pages	GeneralPurposeTransistors GeneralPurposeTransistors PNPSilicon •MoistureSensitivityLevel:1 •ESDRating –HumanBodyModel:>4000V –MachineModel:>400V •Wedeclarethatthematerialofproductcompliancewith RoHSrequirements.	YEASHINYea Shin Technology Co., Ltd 亞昕科技亞昕科技股份有限公司	YEASHIN
BC858A	文件：679.55 Kbytes Page：4 Pages	Lowcurrent.(max.100mA) FEATURES ●Lowcurrent.(max.100mA) ●Lowvoltage.(max.65v) APPLICATIONS ●Generalpurposeswitchingandamplification.	LEIDITECHShanghai Leiditech Electronic Technology Co., Ltd 雷卯电子上海雷卯电子科技有限公司	LEIDITECH
BC858A	文件：476.22 Kbytes Page：4 Pages	PNPgeneralpurposeTransistor FEATURES ●Lowcurrent.(max.100mA) ●Lowvoltage.(max.65v) APPLICATIONS ●Generalpurposeswitchingandamplification.	LEIDITECHShanghai Leiditech Electronic Technology Co., Ltd 雷卯电子上海雷卯电子科技有限公司	LEIDITECH
BC858A	文件：247.13 Kbytes Page：6 Pages	PNPgeneralpurposeTransistor	BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited 世纪微电子常州银河世纪微电子股份有限公司	BILIN
BC858A	文件：1.37311 Mbytes Page：5 Pages	PNPPlastic-EncapsulateTransistors	JINGHENG Jinan Jing Heng Electronics Co., Ltd.	JINGHENG
BC858A	文件：84.18 Kbytes Page：6 Pages	GeneralPurposeTransistors Thesetransistorsaredesignedforgeneralpurposeamplifierapplications.TheyarehousedintheSC−70/SOT−323whichisdesignedforlowpowersurfacemountapplications. Features •SandNSVPrefixforAutomotiveandOtherApplicationsRequiring UniqueSiteandControlChangeRequirements;	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
BC858A	文件：727.32 Kbytes Page：2 Pages	Ideallysuitedforautomaticinsertion TRANSISTOR(PNP) FEATURES •Ideallysuitedforautomaticinsertion •ForSwitchingandAFAmplifierApplications	DGNJDZNanjing International Group Co 南晶电子东莞市南晶电子有限公司	DGNJDZ
BC858A	文件：323.06 Kbytes Page：6 Pages	200mW,PNPSmallSignalTransistor	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 台半台湾半导体股份有限公司	TSC
BC858A	文件：852.79 Kbytes Page：3 Pages	Plastic-EncapsulateTransistors FEATURES Ideallysuitedforautomaticinsertion ForSwitchingandAFAmplifierApplications	OLITECH Olitech Electronics Co.Ltd	OLITECH
BC858A	文件：2.09285 Mbytes Page：4 Pages	PNPgeneralpurposeTransistor FEATURES ●Lowcurrent.(max.100mA). ●Lowvoltage.. APPLICATIONS ●Generalpurposeswitchingandamplification.	LUGUANGShenzhen Luguang Electronic Technology Co., Ltd 鲁光电子深圳市鲁光电子科技有限公司	LUGUANG
BC858A	文件：145.27 Kbytes Page：2 Pages	SMDGeneralPurposePNPTransistors	DiotecDIOTEC 德欧泰克	Diotec
BC858A	文件：498.37 Kbytes Page：3 Pages	Plastic-EncapsulateTransistors FEATURES Ideallysuitedforautomaticinsertion ForSwitchingandAFAmplifierApplications	HOTTECHGuangdong Hottech Co. Ltd. 合科泰广东合科泰实业有限公司	HOTTECH
BC858AF	文件：40.8 Kbytes Page：8 Pages	PNPgeneralpurposetransistors DESCRIPTION PNPtransistorencapsulatedinanultrasmallSC-89(SOT490)plasticSMDpackage. NPNcomplements:BC846F,BC847FandBC848Fseries. FEATURES •PowerdissipationcomparabletoSOT23 •Lowcurrent(max.100mA) •Lowvoltage(max.65V). APPLICATIONS •Generalpurposeswitching	PhilipsROYAL PHILIPS 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BC858A-HF	文件：163.09 Kbytes Page：6 Pages	GeneralPurposeTransistor GeneralPurposeTransistor RoHSDevice HalogenFree Features -Ideallysuitedforautomaticinsertion -Powerdissipation PCM:0.25W(@TA=25°C) -Lowcurrent.(max.100mA) -Collector-basevoltage VCBO:BC856=-80V BC857=-50V BC858=-30V	COMCHIPComchip Technology 典琦典琦科技股份有限公司	COMCHIP
BC858AL	文件：830.81 Kbytes Page：9 Pages	GENERALPURPOSETRANSISTORSPNPSILICON DESCRIPTION The BC856857858859ALBL/CLareavailablein SOT23package FEATURES ⚫MoistureSensitivityLevel:1 ⚫ESDRatingHumanBodyModel:>4000V MachineModel:>400 V ⚫AvailableinSOT23package	AITSEMIAiT Semiconductor Inc. AiT創瑞科技	AITSEMI
BC858AMTF	文件：150.03 Kbytes Page：5 Pages	PNPEpitaxialSiliconTransistor Features •SwitchingandAmplifierApplications •Suitableforautomaticinsertioninthickandthin-filmcircuits •LowNoise:BC859,BC860 •ComplementtoBC846...BC850	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
BC858AQ	文件：275.86 Kbytes Page：5 Pages	PNPGeneralPurposeAmplifier Features ●EpoxymeetsUL-94V-0flammabilityratingandhalogenfree ●MoistureSensitivityLevel1 ●HighConductance ●Partno.withsuffix“Q”meansAEC-Q101qualified Applications ●Generalpurposeswitchingandamplification	YANGJIEYangzhou yangjie electronic co., ltd 扬州扬杰电子扬州扬杰电子科技股份有限公司	YANGJIE
BC858ARF	文件：265.41 Kbytes Page：4 Pages	250mW,PNPSmallSignalTransistor	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 台半台湾半导体股份有限公司	TSC
BC858ARFG	文件：265.41 Kbytes Page：4 Pages	250mW,PNPSmallSignalTransistor	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 台半台湾半导体股份有限公司	TSC
BC858A-TP	文件：102.17 Kbytes Page：3 Pages	PNPSmallSignalTransistor310mW	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体公司	MCC

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详细参数

型号：
BC858BW RF
功能描述：
两极晶体管 - BJT Transistor 200mW
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
PNP 集电极—基极电压
VCBO：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
- 40 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
- 6 V
增益带宽产品fT：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
100 A
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
PowerFLAT 2 x 2

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市科芯源微电子有限公司	BC858BW-7	DIODES/美台	23+	SOT-323	54258	全新原厂原装正品现货,可提供技术支持、样品免费!	询价
深圳市莱克讯科技有限公司	BC858BW-7-F	DIODES	2017+	SOT-323	55688	深圳香港代理原装现货库存(美国-日本-台湾)可开正规增	询价
深圳市鹏和科技有限公司	BC858BW-7-F	DIODES	24+	SOT323	5000	只做原装公司现货	询价
深圳市百视威讯电子科技有限公司	BC858BW-7-F		23+	N/A	35800	正品授权货源可靠	询价
深圳兆威电子有限公司	BC858BW-7-F	DIODES/美台	22+	SOT-323	40417	原装正品现货	询价
深圳市科恒伟业电子有限公司	BC858BW-7-F	DIODES/美台	1936+	SOT323	6852	只做原装正品现货或订货!假一赔十!	询价
深圳市盈宏半导体科技有限公司	BC858BW-7-F	DIODES	12+P	SOT-323	2500	库存刚更新加微13425146986	询价
中天科工半导体（深圳）有限公司	BC858BW-7-F	DIODES/美台	20+	SOT-363	36800	原装优势主营型号-可开原型号增税票	询价
深圳市广弘电子有限公司	BC858BW-7-F	DIODES	2002	SOT-363	65000	原装正品假一罚万	询价
深圳市嘉势达电子有限公司	BC858BW-7-F	DIODES	2009年	SOT-363	3000	百分百原装正品现货	询价

更多BC858BW RF供应商更新时间2024-5-25 16:45:00

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