BAP64Q分立半导体产品二极管-射频规格书PDF中文资料
厂商型号 |
BAP64Q |
参数属性 | BAP64Q 封装/外壳为SC-74A,SOT-753;包装为托盘;类别为分立半导体产品 > 二极管 - 射频;产品描述:RF DIODE PIN 100V 125MW 5TSOP |
功能描述 | RF Manual 16th edition |
文件大小 |
9.37507 Mbytes |
页面数量 |
130 页 |
生产厂商 | NXP Semiconductors |
企业简称 |
nxp【恩智浦】 |
中文名称 | 恩智浦半导体公司官网 |
原厂标识 | |
数据手册 | |
更新时间 | 2024-5-26 20:00:00 |
BAP64Q规格书详情
General description
10W plastic LDMOS power transistor for base station applications at frequencies from 700 MHz to 2700 MHz.
Features and benefits
■ High efficiency
■ Excellent ruggedness
■ Designed for broadband operation
■ Excellent thermal stability
■ High power gain
■ Integrated ESD protection
■ Compliant to Directive 2002/95/EC, regarding Restriction of Hazardous Substances (RoHS)
Applications
■ CDMA
■ W-CDMA
■ GSM EDGE
■ MC-GSM
■ LTE
■ WiMAX
BAP64Q属于分立半导体产品 > 二极管 - 射频。恩智浦半导体公司制造生产的BAP64Q二极管 - 射频射频二极管是一种双端子半导体器件,只允许一个方向通过电流,而限制反方向的电流。该系列器件用于射频匹配电路以进行电子调谐。二极管类型包括 PIN 型、肖特基型和标准型,反向电压范围为 1 至 15,000 V,电流范围为 10 mA 至 20A。
产品属性
- 产品编号:
BAP64Q,125
- 制造商:
NXP USA Inc.
- 类别:
分立半导体产品 > 二极管 - 射频
- 包装:
托盘
- 二极管类型:
PIN - 2 对 CA + CC
- 电压 - 峰值反向(最大值):
100V
- 不同 Vr、F 时电容:
0.35pF @ 20V,1MHz
- 不同 If、F 时电阻:
1.35 欧姆 @ 100mA,100MHz
- 工作温度:
-65°C ~ 150°C(TJ)
- 封装/外壳:
SC-74A,SOT-753
- 供应商器件封装:
5-TSOP
- 描述:
RF DIODE PIN 100V 125MW 5TSOP
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
NXP(恩智浦) |
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NA/ |
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