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BAP64-06W分立半导体产品二极管-射频规格书PDF中文资料

BAP64-06W
厂商型号

BAP64-06W

参数属性

BAP64-06W 封装/外壳为SC-70,SOT-323;包装为卷带(TR);类别为分立半导体产品 > 二极管 - 射频;产品描述:RF DIODE PIN 100V 240MW SOT323-3

功能描述

RF Manual 16th edition
RF DIODE PIN 100V 240MW SOT323-3

文件大小

9.37507 Mbytes

页面数量

130

生产厂商 NXP Semiconductors
企业简称

nxp恩智浦

中文名称

恩智浦半导体公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2024-5-7 23:26:00

BAP64-06W规格书详情

General description

10W plastic LDMOS power transistor for base station applications at frequencies from 700 MHz to 2700 MHz.

Features and benefits

■ High efficiency

■ Excellent ruggedness

■ Designed for broadband operation

■ Excellent thermal stability

■ High power gain

■ Integrated ESD protection

■ Compliant to Directive 2002/95/EC, regarding Restriction of Hazardous Substances (RoHS)

Applications

■ CDMA

■ W-CDMA

■ GSM EDGE

■ MC-GSM

■ LTE

■ WiMAX

BAP64-06W属于分立半导体产品 > 二极管 - 射频。恩智浦半导体公司制造生产的BAP64-06W二极管 - 射频射频二极管是一种双端子半导体器件,只允许一个方向通过电流,而限制反方向的电流。该系列器件用于射频匹配电路以进行电子调谐。二极管类型包括 PIN 型、肖特基型和标准型,反向电压范围为 1 至 15,000 V,电流范围为 10 mA 至 20A。

产品属性

  • 产品编号:

    BAP64-06W,115

  • 制造商:

    NXP USA Inc.

  • 类别:

    分立半导体产品 > 二极管 - 射频

  • 包装:

    卷带(TR)

  • 二极管类型:

    PIN - 1 对共阳极

  • 电压 - 峰值反向(最大值):

    100V

  • 不同 Vr、F 时电容:

    0.35pF @ 20V,1MHz

  • 不同 If、F 时电阻:

    1.35 欧姆 @ 100mA,100MHz

  • 工作温度:

    -65°C ~ 150°C(TJ)

  • 封装/外壳:

    SC-70,SOT-323

  • 供应商器件封装:

    SC-70

  • 描述:

    RF DIODE PIN 100V 240MW SOT323-3

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
NXP/恩智浦
SOT323
1500
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NXP
2020+
SOT323
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NXP(恩智浦)
23+
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SOT323
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