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SF5A60	文件：92.04 Kbytes Page：6 Pages	SuperFastRecoveryRectifiers	FORMOSAFormosa MS 美丽微半导体美丽微半导体股份有限公司	FORMOSA
SF5A60F	文件：92.3 Kbytes Page：6 Pages	SuperFastRecoveryRectifiers	FORMOSAFormosa MS 美丽微半导体美丽微半导体股份有限公司	FORMOSA
SR5A60F-G	文件：51.72 Kbytes Page：2 Pages	SchottkyBarrierRectifiers	COMCHIPComchip Technology 典琦典琦科技股份有限公司	COMCHIP
SR5A60-G	文件：51.41 Kbytes Page：2 Pages	SchottkyBarrierRectifiers	COMCHIPComchip Technology 典琦典琦科技股份有限公司	COMCHIP
TK5A60D	文件：218.63 Kbytes Page：6 Pages	SwitchingRegulatorApplications SwitchingRegulatorApplications •Lowdrain-sourceON-resistance:RDS(ON)=1.2Ω(typ.) •Highforwardtransferadmittance:⎪Yfs⎪=3.0S(typ.) •Lowleakagecurrent:IDSS=10μA(max)(VDS=600V) •Enhancement-mode:Vth=2.4to4.4V(VDS=10V,ID=1mA)	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝	TOSHIBA
TK5A60D	文件：1.58274 Mbytes Page：73 Pages	BipolarSmall-SignalTransistors MOSGT30F12630F12630A/330VIGBTTO-220F Toshiba30F126GT30F126 Referencesite:http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html ReferencePDF(30F124,30F125,30F127,30F128,30F131) :http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝	TOSHIBA
TK5A60D	文件：318.7 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=5A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=1.43Ω(Max) DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
TK5A60W	文件：1.10927 Mbytes Page：10 Pages	N-Channel650V(D-S)PowerMOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
TK5A60W	文件：288.76 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
TK5A60W	文件：240.43 Kbytes Page：10 Pages	SwitchingVoltageRegulators	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝	TOSHIBA

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