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AUIRGP50B60	文件：389.55 Kbytes Page：4 Pages	IGBT DESCRIPTION ·LowSaturationVoltage:VCE(sat)=2V@IC=33A ·MinimalTailCurrent ·AutomotiveQualified APPLICATIONS ·AutomotiveHEVandEV ·WeldingConverters ·,PFC	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
AUIRGP50B60PD1	文件：381.77 Kbytes Page：3 Pages	IGBT DESCRIPTION ·LowSaturationVoltage:VCE(sat)=2.35V（Max)@IC=33A ·HighCurrentCapability ·HighInputImpedance ·FastSwitching APPLICATIONS ·Ultrafasttailcurrentshutoff ·AutomotiveChargers ·HighVoltageAuxiliaries	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
AUIRGP50B60PD1	文件：479.21 Kbytes Page：14 Pages	WARP2 SERIES IGBT WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
AUIRGP50B60PD1	文件：571.15 Kbytes Page：12 Pages	WARP2 SERIES IGBT WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
AUIRGP50B60PD1E	文件：479.21 Kbytes Page：14 Pages	WARP2 SERIES IGBT WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
AUIRGP50B60PD1-E	文件：571.15 Kbytes Page：12 Pages	WARP2 SERIES IGBT WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
AUIRGP50B60PD1	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：管件封装/外壳：TO-247-3 类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 600V 75A 390W TO247AC	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
AUIRGP50B60PD1E	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：管件封装/外壳：TO-247-3 类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 600V 75A 390W TO247AD	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
GP50B60PD	文件：868.64 Kbytes Page：10 Pages	SMPSIGBT WARP2SERIESIGBTWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE Features •NPTTechnology,PositiveTemperatureCoefficient •LowerVCE(SAT) •LowerParasiticCapacitances •MinimalTailCurrent •HEXFREDUltraFastSoft-RecoveryCo-PackDiode •TighterDistributionofParameters •HigherReliability	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRGP50B60PD	文件：868.64 Kbytes Page：10 Pages	SMPSIGBT WARP2SERIESIGBTWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE Features •NPTTechnology,PositiveTemperatureCoefficient •LowerVCE(SAT) •LowerParasiticCapacitances •MinimalTailCurrent •HEXFREDUltraFastSoft-RecoveryCo-PackDiode •TighterDistributionofParameters •HigherReliability	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRGP50B60PDPBF	文件：394.56 Kbytes Page：11 Pages	WARP2SERIESIGBTWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRGP50B60PDPBF	文件：385.42 Kbytes Page：10 Pages	WARP2SERIESIGBTWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE VCES=600V VCE(on)typ.=2.00V @VGE=15VIC=33A EquivalentMOSFETParameters RCE(on)typ.=61mΩ ID(FETequivalent)=50A Features •NPTTechnology,PositiveTemperatureCoefficient •LowerVCE(SAT) •LowerParasiticCapacitances •MinimalTailCurrent •H	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
QCA50B60	文件：412.44 Kbytes Page：2 Pages	TRANSISTORMODULE QCA50BandQCB50AaredualDarlingtonpowertransistormoduleswhichhaveseries-connectedhighspeed,highpowerDarlingtontransistors.Eachtransistorhasareverseparalleledfastrecoverydiode. ●IC50A,VCEX400/600V ●Lowsaturationvoltageforhigherefficiency. ●Isolatedmountingbas	SANREXSansha Electric Mfg. Co. Ltd 三力电气制造有限公司	SANREX

详细参数

型号：
AUIRGP50B60
功能描述：
IGBT 晶体管 600V AUTO WARP2 150KHZ COPACK IGBT
RoHS：
否
制造商：
Fairchild Semiconductor
配置：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
650 V
集电极—射极饱和电压：
2.3 V
栅极/发射极最大电压：
20 V 在25
C的连续集电极电流：
150 A
栅极—射极漏泄电流：
400 nA
功率耗散：
187 W
封装/箱体：
TO-247
封装：
Tube

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