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AUIRLR3915	文件：683.25 Kbytes Page：11 Pages	HEXFET짰 Power MOSFET	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
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AK3915XF-R	文件：207.63 Kbytes Page：1 Pages	15Metersw/Ferritecore,HDD-Sub15pinMale>Female	ASSMANNASSMANN WSW COMPONENTS ASSMANN WSW组件有限公司	ASSMANN
BA3915B	文件：247.86 Kbytes Page：16 Pages	Systempowersupplyforcarstereos TheBA3918isasingle-chippowersupplyICforuseincaraudiosystems.One5.6Voutputforamicrocontroller,three8.7Voutputs,andtwooutputsinterlockedbyBACKUPandACCsystemsarebuiltin.	ROHMRohm Semiconductor 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
CPCI-3915	文件：523.89 Kbytes Page：2 Pages	Extendedtemperatureoption	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc2未分类制造商	etc2
CPCI-R3915	文件：523.89 Kbytes Page：2 Pages	Extendedtemperatureoption	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc2未分类制造商	etc2
CPCI-R3915T	文件：523.89 Kbytes Page：2 Pages	Extendedtemperatureoption	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc2未分类制造商	etc2
IIRLR3915	文件：334.93 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRLR3915	文件：334.93 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRLR3915	文件：1.443 Mbytes Page：11 Pages	AdvancedProcessTechnology	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRLR3915	文件：581.67 Kbytes Page：11 Pages	HEXFETPowerMOSFET Description SpecificallydesignedforAutomotiveapplications,thisHEXFET®PowerMOSFETutilizesthelatestprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Additionalfeaturesofthisproductarea175°Cjunctionoperatingtemperature,fastswitchingspeedandimpr	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRLR3915PBF	文件：310.4 Kbytes Page：11 Pages	AUTOMOTIVEMOSFET Description ThisHEXFET®PowerMOSFETutilizesthelatestprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Additionalfeaturesofthisproductarea175°Cjunctionoperatingtemperature,fastswitchingspeedandimprovedrepetitiveavalancherating.Thesefeaturesco	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRLR3915PBF	文件：328.56 Kbytes Page：11 Pages	AdvancedProcessTechnology	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRLR3915PBF	文件：328.56 Kbytes Page：11 Pages	AdvancedProcessTechnology	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRLR3915TR	文件：460.93 Kbytes Page：8 Pages	60VN-ChannelMOSFET Features AdvancedProcessTechnology UltraLowOn-Resistance 175°COperatingTemperature FastSwitching VDS=100V ID(atVGS=10V)=30A RDS(ON)(atVGS=10V)	UMWUMW 友台友台半导体	UMW
IRLR3915TRPBF	文件：328.56 Kbytes Page：11 Pages	AdvancedProcessTechnology	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRLU3915	文件：581.67 Kbytes Page：11 Pages	HEXFETPowerMOSFET Description SpecificallydesignedforAutomotiveapplications,thisHEXFET®PowerMOSFETutilizesthelatestprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Additionalfeaturesofthisproductarea175°Cjunctionoperatingtemperature,fastswitchingspeedandimpr	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF

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详细参数

型号：
AUIRLR3915
功能描述：
MOSFET 55V, 61A, 14 mOhm Auto Lgc Lvl MOSFET
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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