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B1100LB-FDITR	文件：107.95 Kbytes Page：4 Pages	1.0AHIGHVOLTAGESCHOTTKYBARRIERRECTIFIER	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技	DIODES
B1100Q	文件：314.96 Kbytes Page：5 Pages	1.0AHIGHVOLTAGESCHOTTKYBARRIERRECTIFIER	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技	DIODES
B1100W	文件：90.01 Kbytes Page：3 Pages	1ASurfaceMountSchottkyBarrierRectifiers
B1100WG-SL	文件：504.95 Kbytes Page：4 Pages	1ASurfaceMountSchottkyBarrierRectifiers
B1100W-S	文件：91.36 Kbytes Page：3 Pages	1ASurfaceMountSchottkyBarrierRectifiers
B1100W-ST	文件：92.41 Kbytes Page：3 Pages	1ASurfaceMountSchottkyBarrierRectifiers
BC1100U-TW	文件：108.29 Kbytes Page：2 Pages	APCBACK-UPS1100VA,120V,USB,BSMI,TAIWAN	SCHNEIDERSchneider electric 施耐德施耐德电气	SCHNEIDER
BCM1100	文件：40.57 Kbytes Page：2 Pages	VOICEOVERIPETHERNETCPEENGINE	BOARDCOMBroadcom Corporation. 博通公司博通半导体	BOARDCOM
BDE1100G	文件：265.76 Kbytes Page：9 Pages	DetectTemperatureChangeableThermostatOutputTemperatureSensorIC	ROHMRohm Semiconductor 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
BDE1100G	文件：417.24 Kbytes Page：11 Pages	ThermostatOutputTemperatureICswithVariableDetectionTemperature	ROHMRohm Semiconductor 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
BDE1100G	文件：289.08 Kbytes Page：9 Pages	ThermostatOutputTemperatureICswithVariableDetectionTemperature	ROHMRohm Semiconductor 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
BDE1100G	文件：417.24 Kbytes Page：11 Pages	ThermostatOutputTemperatureICswithVariableDetectionTemperature	ROHMRohm Semiconductor 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
BF1100	文件：311.53 Kbytes Page：15 Pages	Dual-gateMOS-FETs DESCRIPTION Enhancementtypefield-effecttransistorinaplasticmicrominiatureSOT143orSOT143Rpackage.ThetransistorconsistsofanamplifierMOS-FETwithsourceandsubstrateinterconnectedandaninternalbiascircuittoensuregoodcross-modulationperformanceduringAGC. FEATURES •Sp	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp
BF1100	文件：159.54 Kbytes Page：14 Pages	Dual-gateMOS-FETs DESCRIPTION Enhancementtypefield-effecttransistorinaplasticmicrominiatureSOT143orSOT143Rpackage.ThetransistorconsistsofanamplifierMOS-FETwithsourceandsubstrateinterconnectedandaninternalbiascircuittoensuregoodcross-modulationperformanceduringAGC. FEATURES •Sp	PhilipsROYAL PHILIPS 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BF1100R	文件：311.53 Kbytes Page：15 Pages	Dual-gateMOS-FETs DESCRIPTION Enhancementtypefield-effecttransistorinaplasticmicrominiatureSOT143orSOT143Rpackage.ThetransistorconsistsofanamplifierMOS-FETwithsourceandsubstrateinterconnectedandaninternalbiascircuittoensuregoodcross-modulationperformanceduringAGC. FEATURES •Sp	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp
BF1100R	文件：159.54 Kbytes Page：14 Pages	Dual-gateMOS-FETs DESCRIPTION Enhancementtypefield-effecttransistorinaplasticmicrominiatureSOT143orSOT143Rpackage.ThetransistorconsistsofanamplifierMOS-FETwithsourceandsubstrateinterconnectedandaninternalbiascircuittoensuregoodcross-modulationperformanceduringAGC. FEATURES •Sp	PhilipsROYAL PHILIPS 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BF1100WR	文件：146.38 Kbytes Page：14 Pages	Dual-gateMOS-FET DESCRIPTION Enhancementtypefield-effecttransistorinaplasticmicrominiatureSOT343Rpackage.ThetransistorconsistsofanamplifierMOS-FETwithsourceandsubstrateinterconnectedandaninternalbiascircuittoensuregoodcross-modulationperformanceduringAGC. FEATURES •Special	PhilipsROYAL PHILIPS 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BF1100WR	文件：471.96 Kbytes Page：16 Pages	Dual-gateMOS-FET FEATURES Speciallydesignedforuseat9to12Vsupplyvoltage Shortchanneltransistorwithhighforwardtransfer admittancetoinputcapacitanceratio Lownoisegaincontrolledamplifierupto1GHz Superiorcross-modulationperformanceduringAGC. APPLICATIONS VHFandUHFappl	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp
BOH-1100	文件：297.97 Kbytes Page：3 Pages	PoEUpgradableOutdoorHousing	LVL1 Level One	LVL1
BR1100	文件：54.56 Kbytes Page：4 Pages	SCHOTTKYBARRIERRECTIFIER1.0AMPERE100VOLTS AxialLeadRectifier TheserectifiersemploytheSchottkyBarrierprincipleinalargeareametal−to−siliconpowerdiode.State−of−the−artgeometryfeaturesepitaxialconstructionwithoxidepassivationandmetaloverlapcontact.Ideallysuitedforuseasrectifiersinlow−voltage,high−frequency	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI

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详细参数

型号：
AU1100
制造商：
Advanced Micro Devices

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多AU1100供应商更新时间2024-6-1 16:10:00

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