选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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NXP/恩智浦SOT143 |
7906200 |
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深圳市宇集芯电子有限公司5年
留言
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NXP/恩智浦SOT-143 |
6000 |
24+ |
终端可以免费供样,支持BOM配单 |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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NXP/恩智浦SOT143 |
7906200 |
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深圳市金华微盛电子有限公司5年
留言
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NXP/恩智浦SOT-143 |
78550 |
2019+ |
原厂渠道 可含税出货 |
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深圳市纳艾斯科技有限公司9年
留言
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PHILIPSSOT-143 |
80000 |
2020+ |
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增 |
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深圳市科芯源微电子有限公司4年
留言
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NXP/恩智浦SOT-143 |
54258 |
23+ |
全新原厂原装正品现货,可提供技术支持、样品免费! |
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深圳市博浩通科技有限公司14年
留言
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PHILIPSSOT-143 |
6680 |
23+ |
全新原装优势 |
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深圳市明嘉莱科技有限公司3年
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990000 |
24+ |
明嘉莱只做原装正品现货 |
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深圳深宇韬电子科技有限公司1年
留言
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PHILIPS/飞利浦SOT-143 |
8800 |
2023+ |
正品渠道现货 终端可提供BOM表配单。 |
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深圳市拓亿芯电子有限公司10年
留言
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PHILIPS/飞利浦SOT143 |
15000 |
23 |
全新原装现货 价格优势 |
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深圳市拓亿芯电子有限公司11年
留言
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PHILIPS/飞利浦SOT143 |
15000 |
23+ |
全新原装现货,价格优势 |
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深圳市振宏微科技有限公司8年
留言
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SOT-143NA |
15659 |
23+ |
振宏微专业只做正品,假一罚百! |
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深圳市威雅利发展有限公司5年
留言
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PHILIPS/飞利浦SOT-143 |
1698 |
0408+ |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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PHILIPS/飞利浦 |
589220 |
16余年资质 绝对原盒原盘 更多数量 |
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深圳市胜彬电子有限公司11年
留言
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PHILIPSSOT143 |
8000 |
22+ |
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原装正品支持实单 |
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深圳市得捷芯城科技有限公司5年
留言
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PHILIPS/飞利浦NA/ |
1698 |
23+ |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
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深圳市一线半导体有限公司15年
留言
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NXP恩智浦/PHILIPS飞利浦SOT-143SOT-23-4 |
10700 |
2008++ |
新进库存/原装 |
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贸泽芯城(深圳)电子科技有限公司5年
留言
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NXP/恩智浦SOT-143 |
197300 |
2021+ |
原厂授权代理,海外优势订货渠道。可提供大量库存,详 |
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深圳市富芯乐电子科技有限公司9年
留言
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NXPSOT143 |
6000 |
22+ |
全新原装品牌专营 |
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司14年
留言
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NXPSOT-143 |
50000 |
2023+ |
原装现货 |
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BF1100图片
BF1100R价格
BF1100R价格:¥0.3640品牌:NXP/PHILIPS
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BF1100资讯
BF1100WR+115深圳市百诚电子科技有限公司
深圳市百诚电子科技有限公司联系人:胡先生电话:0755231130110755-3692345113699855959
BF1100中文资料Alldatasheet PDF
更多BF1100制造商:PHILIPS 制造商全称:NXP Semiconductors 功能描述:Dual-gate MOS-FETs
BF1100,215功能描述:射频MOSFET小信号晶体管 TAPE7 MOS-RFSS RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Dual Dual Gate 晶体管极性:N-Channel 电阻汲极/源极 RDS(导通): 汲极/源极击穿电压:6 V 闸/源击穿电压:6 V 漏极连续电流:30 mA 功率耗散:180 mW 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SC-88 封装:Reel
BF1100R制造商:PHILIPS 制造商全称:NXP Semiconductors 功能描述:Dual-gate MOS-FETs
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BF1100R,235功能描述:射频MOSFET小信号晶体管 Dual N-Channel 14V 30mA 200mW RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Dual Dual Gate 晶体管极性:N-Channel 电阻汲极/源极 RDS(导通): 汲极/源极击穿电压:6 V 闸/源击穿电压:6 V 漏极连续电流:30 mA 功率耗散:180 mW 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SC-88 封装:Reel
BF1100RT/R功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 14V V(BR)DSS | 30MA I(D) | SOT-143R
BF1100T/R功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 14V V(BR)DSS | 30MA I(D) | SOT-143
BF1100WR制造商:PHILIPS 制造商全称:NXP Semiconductors 功能描述:Dual-gate MOS-FET
BF1100WR,115功能描述:射频MOSFET小信号晶体管 TAPE-7 MOS-RFSS RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Dual Dual Gate 晶体管极性:N-Channel 电阻汲极/源极 RDS(导通): 汲极/源极击穿电压:6 V 闸/源击穿电压:6 V 漏极连续电流:30 mA 功率耗散:180 mW 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SC-88 封装:Reel