选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市科雨电子有限公司4年
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深圳市百视威讯电子科技有限公司3年
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深圳市旺财半导体有限公司4年
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Broadcom/Avago |
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深圳市科雨电子有限公司4年
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AT-42086-TR2G中文资料Alldatasheet PDF
更多AT-42086-TR2G功能描述:射频双极小信号晶体管 Transistor Si RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶体管极性:NPN 最大工作频率:7000 MHz 集电极—发射极最大电压 VCEO:15 V 发射极 - 基极电压 VEBO:2 V 集电极连续电流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集电极/Base Gain hfe Min: 最大工作温度:+ 150 C 封装 / 箱体:SOT-223 封装:Reel
产品属性
- 产品编号:
AT-42086-TR2G
- 制造商:
Broadcom Limited
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极(BJT)- 射频
- 包装:
散装
- 晶体管类型:
NPN
- 电压 - 集射极击穿(最大值):
12V
- 频率 - 跃迁:
8GHz
- 噪声系数(dB,不同 f 时的典型值):
1.9dB ~ 3.5dB @ 2GHz ~ 4GHz
- 增益:
9dB ~ 13dB
- 功率 - 最大值:
500mW
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):
30 @ 35mA,8V
- 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):
80mA
- 工作温度:
150°C(TJ)
- 安装类型:
表面贴装型
- 封装/外壳:
SOT-86
- 供应商器件封装:
86 塑料
- 描述:
RF TRANS NPN 12V 8GHZ 86 PLASTIC