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AT-42086-TR1G功能描述:射频双极小信号晶体管 Transistor Si RoHS:否制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶体管极性:NPN 最大工作频率:7000 MHz 集电极—发射极最大电压 VCEO:15 V 发射极 - 基极电压 VEBO:2 V 集电极连续电流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集电极/Base Gain hfe Min: 最大工作温度:+ 150 C 封装 / 箱体:SOT-223 封装:Reel

产品属性

产品编号：
AT-42086-TR1G
制造商：
Broadcom Limited
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极（BJT）- 射频
包装：
卷带（TR）
晶体管类型：
NPN
电压 - 集射极击穿（最大值）：
12V
频率 - 跃迁：
8GHz
噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）：
1.9dB ~ 3.5dB @ 2GHz ~ 4GHz
增益：
9dB ~ 13dB
功率 - 最大值：
500mW
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
30 @ 35mA，8V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：
80mA
工作温度：
150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
SOT-86
供应商器件封装：
86 塑料
描述：
RF TRANS NPN 12V 8GHZ 86 PLASTIC