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AT-32011-TR1

Low Current, High Performance NPN Silicon Bipolar Transistor

Description HewlettPackard’sAT-32011andAT-32033arehighperformanceNPNbipolartransistorsthathavebeenoptimizedformaximumftatlowvoltageoperation,makingthemidealforuseinbatterypoweredapplicationsinwirelessmarkets.TheAT-32033usesthe3␣leadSOT-23,whiletheAT-320

HPAgilent(Hewlett-Packard)

安捷伦科技安捷伦科技有限公司

AT-32011-TR1

包装:卷带(TR)剪切带(CT) 封装/外壳:TO-253-4,TO-253AA 类别:分立半导体产品 晶体管 - 双极(BJT)- 射频 描述:RF TRANS NPN 5.5V SOT143

BroadcomBroadcom Limited

博通博通公司

AT-32011-TR1G

包装:卷带(TR)剪切带(CT) 封装/外壳:TO-253-4,TO-253AA 类别:分立半导体产品 晶体管 - 双极(BJT)- 射频 描述:RF TRANS NPN 5.5V SOT143

BroadcomBroadcom Limited

博通博通公司

产品属性

  • 产品编号:

    AT-32011-TR1

  • 制造商:

    Broadcom Limited

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极(BJT)- 射频

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)

  • 晶体管类型:

    NPN

  • 电压 - 集射极击穿(最大值):

    5.5V

  • 噪声系数(dB,不同 f 时的典型值):

    1dB ~ 1.3dB @ 900MHz

  • 增益:

    12.5dB ~ 14dB

  • 功率 - 最大值:

    200mW

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    70 @ 2mA,2.7V

  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):

    32mA

  • 工作温度:

    150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    TO-253-4,TO-253AA

  • 供应商器件封装:

    SOT-143

  • 描述:

    RF TRANS NPN 5.5V SOT143

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更多AT-32011-TR1供应商 更新时间2024-6-4 10:50:00