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AT-32063-TR1	文件：86.42 Kbytes Page：8 Pages	LowCurrent,HighPerformanceNPNSiliconBipolarTransistor Description TheAT-32063containstwohighperformanceNPNbipolartransistorsinasingleSOT-363package.Thedevicesareunconnected,allowingflexibilityindesign.Thepin-outisconvenientforcascodeamplifierdesigns.TheSOT-363packageisanindustrystandardplasticsurfacemountpacka	HPAgilent(Hewlett-Packard) 安捷伦科技安捷伦科技有限公司	HP
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INA-32063-TR1	文件：80.92 Kbytes Page：11 Pages	3.0GHzWidebandSiliconRFICAmplifier Description Agilent’sINA-32063isaSiliconRFICamplifierthatoffersexcellentgainandoutputpowerforapplicationsto3.0GHz.PackagedinanultraminiatureSOT-363package,itrequireshalfoftheboardspaceofaSOT-143package. Features •17dBGainat1.9GHz •+3dBmP1dBat1.9G	HPAgilent(Hewlett-Packard) 安捷伦科技安捷伦科技有限公司	HP

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AT-32063-TR1

文件：86.42 Kbytes

Page：8 Pages

LowCurrent,HighPerformanceNPNSiliconBipolarTransistor

Description TheAT-32063containstwohighperformanceNPNbipolartransistorsinasingleSOT-363package.Thedevicesareunconnected,allowingflexibilityindesign.Thepin-outisconvenientforcascodeamplifierdesigns.TheSOT-363packageisanindustrystandardplasticsurfacemountpacka

HPAgilent(Hewlett-Packard)

安捷伦科技安捷伦科技有限公司

AT-32063-TR1

文件：126.41 Kbytes

Page：9 Pages

AT-32063

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安捷伦科技安捷伦科技有限公司

INA-32063-TR1

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3.0GHzWidebandSiliconRFICAmplifier

Description Agilent’sINA-32063isaSiliconRFICamplifierthatoffersexcellentgainandoutputpowerforapplicationsto3.0GHz.PackagedinanultraminiatureSOT-363package,itrequireshalfoftheboardspaceofaSOT-143package. Features •17dBGainat1.9GHz •+3dBmP1dBat1.9G

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安捷伦科技安捷伦科技有限公司

详细参数

型号：
AT-32063-TR1G
功能描述：
射频双极小信号晶体管 Transistor Si Low Current
RoHS：
否
制造商：
NXP Semiconductors
配置：
Single
晶体管极性：
NPN
最大工作频率：
7000 MHz 集电极—发射极最大电压
VCEO：
15 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
2 V
集电极连续电流：
0.15 A
功率耗散：
1000 mW 直流集电极/Base Gain hfe
最大工作温度：
+ 150 C
封装/箱体：
SOT-223
封装：
Reel

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