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AS7C31026B-10TCN	文件：122.85 Kbytes Page：10 Pages	3.3 V 64K X 16 CMOS SRAM Functionaldescription TheAS7C31026Bisahigh-performanceCMOS1,048,576-bitStaticRandomAccessMemory(SRAM)deviceorganizedas65,536words×16bits.Itisdesignedformemoryapplicationswherefastdataaccess,lowpower,andsimpleinterfacingaredesired. Equaladdressaccessand	ALSC Alliance Semiconductor Corporation
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AS7C31026B-10TCNTR	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）封装/外壳：44-TSOP（0.400"，10.16mm 宽）类别：集成电路（IC）存储器描述：IC SRAM 1MBIT PARALLEL 44TSOP2	Alliance Memory Alliance Memory, Inc.
AS7C31026B-10JC	文件：122.85 Kbytes Page：10 Pages	3.3V64KX16CMOSSRAM Functionaldescription TheAS7C31026Bisahigh-performanceCMOS1,048,576-bitStaticRandomAccessMemory(SRAM)deviceorganizedas65,536words×16bits.Itisdesignedformemoryapplicationswherefastdataaccess,lowpower,andsimpleinterfacingaredesired. Equaladdressaccessand	ALSC Alliance Semiconductor Corporation
AS7C31026B-10JCN	文件：122.85 Kbytes Page：10 Pages	3.3V64KX16CMOSSRAM Functionaldescription TheAS7C31026Bisahigh-performanceCMOS1,048,576-bitStaticRandomAccessMemory(SRAM)deviceorganizedas65,536words×16bits.Itisdesignedformemoryapplicationswherefastdataaccess,lowpower,andsimpleinterfacingaredesired. Equaladdressaccessand	ALSC Alliance Semiconductor Corporation
AS7C31026B-10JI	文件：122.85 Kbytes Page：10 Pages	3.3V64KX16CMOSSRAM Functionaldescription TheAS7C31026Bisahigh-performanceCMOS1,048,576-bitStaticRandomAccessMemory(SRAM)deviceorganizedas65,536words×16bits.Itisdesignedformemoryapplicationswherefastdataaccess,lowpower,andsimpleinterfacingaredesired. Equaladdressaccessand	ALSC Alliance Semiconductor Corporation
AS7C31026B-10JIN	文件：122.85 Kbytes Page：10 Pages	3.3V64KX16CMOSSRAM Functionaldescription TheAS7C31026Bisahigh-performanceCMOS1,048,576-bitStaticRandomAccessMemory(SRAM)deviceorganizedas65,536words×16bits.Itisdesignedformemoryapplicationswherefastdataaccess,lowpower,andsimpleinterfacingaredesired. Equaladdressaccessand	ALSC Alliance Semiconductor Corporation
AS7C31026B-10TC	文件：122.85 Kbytes Page：10 Pages	3.3V64KX16CMOSSRAM Functionaldescription TheAS7C31026Bisahigh-performanceCMOS1,048,576-bitStaticRandomAccessMemory(SRAM)deviceorganizedas65,536words×16bits.Itisdesignedformemoryapplicationswherefastdataaccess,lowpower,andsimpleinterfacingaredesired. Equaladdressaccessand	ALSC Alliance Semiconductor Corporation
AS7C31026B-10TI	文件：122.85 Kbytes Page：10 Pages	3.3V64KX16CMOSSRAM Functionaldescription TheAS7C31026Bisahigh-performanceCMOS1,048,576-bitStaticRandomAccessMemory(SRAM)deviceorganizedas65,536words×16bits.Itisdesignedformemoryapplicationswherefastdataaccess,lowpower,andsimpleinterfacingaredesired. Equaladdressaccessand	ALSC Alliance Semiconductor Corporation
AS7C31026B-10TIN	文件：122.85 Kbytes Page：10 Pages	3.3V64KX16CMOSSRAM Functionaldescription TheAS7C31026Bisahigh-performanceCMOS1,048,576-bitStaticRandomAccessMemory(SRAM)deviceorganizedas65,536words×16bits.Itisdesignedformemoryapplicationswherefastdataaccess,lowpower,andsimpleinterfacingaredesired. Equaladdressaccessand	ALSC Alliance Semiconductor Corporation

产品属性

产品编号：
AS7C31026B-10TCN
制造商：
Alliance Memory, Inc.
类别：
集成电路（IC） > 存储器
包装：
托盘
存储器类型：
易失
存储器格式：
SRAM
技术：
SRAM - 异步
存储容量：
1Mb（64K x 16）
存储器接口：
并联
写周期时间 - 字，页：
10ns
电压 - 供电：
3V ~ 3.6V
工作温度：
0°C ~ 70°C（TA）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
44-TSOP（0.400"，10.16mm 宽）
供应商器件封装：
44-TSOP2
描述：
IC SRAM 1MBIT PARALLEL 44TSOP2

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多AS7C31026B-10TCN供应商更新时间2024-4-27 13:00:00

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