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AS7C31026B-10JCN	文件：122.85 Kbytes Page：10 Pages	3.3 V 64K X 16 CMOS SRAM Functionaldescription TheAS7C31026Bisahigh-performanceCMOS1,048,576-bitStaticRandomAccessMemory(SRAM)deviceorganizedas65,536words×16bits.Itisdesignedformemoryapplicationswherefastdataaccess,lowpower,andsimpleinterfacingaredesired. Equaladdressaccessand	ALSC Alliance Semiconductor Corporation
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AS7C31026B-10TCN	文件：122.85 Kbytes Page：10 Pages	3.3V64KX16CMOSSRAM Functionaldescription TheAS7C31026Bisahigh-performanceCMOS1,048,576-bitStaticRandomAccessMemory(SRAM)deviceorganizedas65,536words×16bits.Itisdesignedformemoryapplicationswherefastdataaccess,lowpower,andsimpleinterfacingaredesired. Equaladdressaccessand	ALSC Alliance Semiconductor Corporation
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产品属性

产品编号：
AS7C31026B-10JCN
制造商：
Alliance Memory, Inc.
类别：
集成电路（IC） > 存储器
包装：
托盘
存储器类型：
易失
存储器格式：
SRAM
技术：
SRAM - 异步
存储容量：
1Mb（64K x 16）
存储器接口：
并联
写周期时间 - 字，页：
10ns
电压 - 供电：
3V ~ 3.6V
工作温度：
0°C ~ 70°C（TA）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
44-BSOJ（0.400"，10.16mm 宽）
供应商器件封装：
44-SOJ
描述：
IC SRAM 1MBIT PARALLEL 44SOJ

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