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APT68GA60B2D40	文件：2.83333 Mbytes Page：44 Pages	Power Semiconductors Power Modules RF Power MOSFETs POWERMOS7®MOSFET PowerMOS7®isanewgenerationoflowloss,highvoltage,N-ChannelenhancementmodepowerMOSFETS.BothconductionandswitchinglossesareaddressedwithPowerMOS7®bysignificantlyloweringRDS(ON)andQg.PowerMOS7®combineslowerconductionandswitchinglossesalon	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司
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APT68GA60B2D40

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Power Semiconductors Power Modules RF Power MOSFETs

POWERMOS7®MOSFET PowerMOS7®isanewgenerationoflowloss,highvoltage,N-ChannelenhancementmodepowerMOSFETS.BothconductionandswitchinglossesareaddressedwithPowerMOS7®bysignificantlyloweringRDS(ON)andQg.PowerMOS7®combineslowerconductionandswitchinglossesalon

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Power Semiconductors Power Modules

MicrosemiMicrosemi Corporation

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包装：管件封装/外壳：TO-247-3 变式类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 600V 121A 520W TO-247

MicrochipMicrochip Technology Inc.

微芯科技微芯科技股份有限公司

产品属性

产品编号：
APT68GA60B2D40
制造商：
Microchip Technology
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
系列：
POWER MOS 8™
包装：
管件
IGBT 类型：
PT
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
2.5V @ 15V，40A
开关能量：
715µJ（开），607µJ（关）
输入类型：
标准
25°C 时 Td（开/关）值：
21ns/133ns
测试条件：
400V，40A，4.7 欧姆，15V
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-247-3 变式
描述：
IGBT 600V 121A 520W TO-247

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