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BF620	文件：34.61 Kbytes Page：2 Pages	TheSmall-signalNPNSiliconHighVoltageMedium-PowerTransistor [PLANETA] DESCRIPTION TheBF620isanNPNsiliconepitaxialtransistordesignedforapplicationasavideooutputtodrivecolorCRT,telephony,professionalcommunicationequipmentandotherhighvoltageapplications. Ithasdynamicrangeandgoodcurrentcharacteristic. Thishighvoltagetra	ETC1List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商未分类制造商	ETC1
BF620	文件：131.78 Kbytes Page：10 Pages	NPNhigh-voltagetransistors DESCRIPTION NPNhigh-voltagetransistorinaSOT89plasticpackage. PNPcomplements:BF621andBF623. FEATURES •Lowcurrent(max.50mA) •Highvoltage(max.300V). APPLICATIONS •Videooutputstages.	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp
BF620	文件：52.69 Kbytes Page：2 Pages	SiliconNPNepitaxialplanertype Features ●Lowcurrent(max.50mA) ●Highvoltage(max.300V).	KEXINGUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
BF620	文件：320.82 Kbytes Page：11 Pages	NPNhigh-voltagetransistors FEATURES •Lowcurrent(max.50mA) •Highvoltage(max.300V).	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
BFP620	文件：641.59 Kbytes Page：11 Pages	NPNSiliconGermaniumRFTransistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
BFP620	文件：350.51 Kbytes Page：4 Pages	NPNTransistor	ETC1List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商未分类制造商	ETC1
BFP620	文件：209.97 Kbytes Page：7 Pages	NPNSiliconGermaniumRFTransistor LowNoiseSiGe:CBipolarRFTransistor •HighlylinearlownoiseRFtransistor •Providesoutstandingperformance forawiderangeofwirelessapplications •BasedonInfineonsreliablehighvolume SiliconGermaniumtechnology •IdealforCDMAandWLANapplications •Collectordesign	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
BFP620	文件：665.57 Kbytes Page：10 Pages	LowNoiseSiGe:CBipolarRFTransistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
BFP620F	文件：154.82 Kbytes Page：10 Pages	NPNSiliconGermaniumRFTransistor NPNSiliconGermaniumRFTransistor* •HighgainlownoiseRFtransistor •Smallpackage1.4x0.8x0.59mm •OutstandingnoisefigureF=0.7dBat1.8GHz OutstandingnoisefigureF=1.3dBat6GHz •Maximumstablegain Gms=21dBat1.8GHz Gma=10dBat6GHz •Goldmetal	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
BFP620F	文件：629.26 Kbytes Page：9 Pages	LowNoiseSiGe:CBipolarRFTransistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
BFP620F	文件：154.82 Kbytes Page：10 Pages	NPNSiliconGermaniumRFTransistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
BFP620F	文件：158.62 Kbytes Page：6 Pages	NPNSiliconGermaniumRFTransistor NPNSiliconGermaniumRFTransistor* •HighgainlownoiseRFtransistor •Smallpackage1.4x0.8x0.59mm •OutstandingnoisefigureF=0.7dBat1.8GHz OutstandingnoisefigureF=1.3dBat6GHz •Maximumstablegain Gms=21dBat1.8GHz Gma=10dBat6GHz •Goldmetal	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
BL620	文件：403.44 Kbytes Page：1 Pages	CentralModeBLEModuleFeaturingsmartBASIC	LSTD Laird Tech Smart Technology	LSTD
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BRUS620	文件：58.03 Kbytes Page：2 Pages	ULTRA-FASTRECOVERY8AMPERESSINGLE-PHASE,FULL-WAVEBRIDGESHEATSINKCHASSISP.C.BOARDMOUNTING	edi edi	edi
BT-620	文件：9.23612 Mbytes Page：2 Pages	Bench-TopParticleCounter	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商etc2未分类制造商	etc2
BUF620	文件：94.99 Kbytes Page：9 Pages	SiliconNPNHighVoltageSwitchingTransistor	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay

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