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APT35GP120B2DQ2G

POWER MOS 7 IGBT

ADPOW

Advanced Power Technology

APT35GP120B2DQ2G

Power Semiconductors Power Modules RF Power MOSFETs

MicrosemiMicrosemi Corporation

美高森美美高森美公司

APT35GP120B2DQ2G

Power Semiconductors Power Modules

MicrosemiMicrosemi Corporation

美高森美美高森美公司

APT35GP120B2DQ2G

包装:管件 封装/外壳:TO-247-3 变式 类别:分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 描述:IGBT 1200V 96A 543W TMAX

MicrochipMicrochip Technology Inc.

微芯科技微芯科技股份有限公司

APT35GP120B2DQ2

POWERMOS7IGBT

ADPOW

Advanced Power Technology

产品属性

  • 产品编号:

    APT35GP120B2DQ2G

  • 制造商:

    Microchip Technology

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

  • 系列:

    POWER MOS 7®

  • 包装:

    管件

  • IGBT 类型:

    PT

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):

    3.9V @ 15V,35A

  • 开关能量:

    750µJ(开),680µJ(关)

  • 输入类型:

    标准

  • 25°C 时 Td(开/关)值:

    16ns/95ns

  • 测试条件:

    600V,35A,4.3 欧姆,15V

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-247-3 变式

  • 描述:

    IGBT 1200V 96A 543W TMAX

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更多APT35GP120B2DQ2G供应商 更新时间2024-5-24 16:03:00