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APT36GA60BD15	文件：2.83333 Mbytes Page：44 Pages	Power Semiconductors Power Modules RF Power MOSFETs POWERMOS7®MOSFET PowerMOS7®isanewgenerationoflowloss,highvoltage,N-ChannelenhancementmodepowerMOSFETS.BothconductionandswitchinglossesareaddressedwithPowerMOS7®bysignificantlyloweringRDS(ON)andQg.PowerMOS7®combineslowerconductionandswitchinglossesalon	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
APT36GA60BD15	文件：319.91 Kbytes Page：2 Pages	IGBT DESCRIPTION ·FastswitchingwithlowEMI ·Lowconductionloss ·Lowgatecharge APPLICATIONS ·Welding ·UPS,solar,andotherinverters ·Highfrequency,highefficiencyindustrial	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
APT36GA60BD15	文件：247.49 Kbytes Page：9 Pages	High Speed PT IGBT	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
APT36GA60BD15	文件：2.83336 Mbytes Page：44 Pages	Power Semiconductors Power Modules	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
APT36GA60BD15	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：管件封装/外壳：TO-247-3 类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 600V 65A 290W TO-247	MicrochipMicrochip Technology Inc. 微芯科技微芯科技股份有限公司	Microchip

产品属性

产品编号：
APT36GA60BD15
制造商：
Microchip Technology
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
系列：
POWER MOS 8™
包装：
管件
IGBT 类型：
PT
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
2.5V @ 15V，20A
开关能量：
307µJ（开），254µJ（关）
输入类型：
标准
25°C 时 Td（开/关）值：
16ns/122ns
测试条件：
400V，20A，10 欧姆，15V
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-247-3
供应商器件封装：
TO-247 [B]
描述：
IGBT 600V 65A 290W TO-247

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