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APT35GN120BG	文件：2.83333 Mbytes Page：44 Pages	Power Semiconductors Power Modules RF Power MOSFETs POWERMOS7®MOSFET PowerMOS7®isanewgenerationoflowloss,highvoltage,N-ChannelenhancementmodepowerMOSFETS.BothconductionandswitchinglossesareaddressedwithPowerMOS7®bysignificantlyloweringRDS(ON)andQg.PowerMOS7®combineslowerconductionandswitchinglossesalon	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
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APT35GN120BG	文件：148.44 Kbytes Page：6 Pages	Utilizing the latest Non-Punch Through (NPT) Field Stop technology	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
APT35GN120BG	文件：9.86083 Mbytes Page：44 Pages	Power Semiconductors Power Modules RF Power MOSFETs	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
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APT35GN120BG	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：管件封装/外壳：TO-247-3 类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 1200V 94A 379W TO247	MicrochipMicrochip Technology Inc. 微芯科技微芯科技股份有限公司	Microchip
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产品属性

产品编号：
APT35GN120BG
制造商：
Microchip Technology
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
包装：
管件
IGBT 类型：
NPT，沟槽型场截止
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
2.1V @ 15V，35A
开关能量：
2.315mJ（关）
输入类型：
标准
25°C 时 Td（开/关）值：
24ns/300ns
测试条件：
800V，35A，2.2 欧姆，15V
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-247-3
供应商器件封装：
TO-247 [B]
描述：
IGBT 1200V 94A 379W TO247

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