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APT35GA90B	文件：2.83333 Mbytes Page：44 Pages	Power Semiconductors Power Modules RF Power MOSFETs POWERMOS7®MOSFET PowerMOS7®isanewgenerationoflowloss,highvoltage,N-ChannelenhancementmodepowerMOSFETS.BothconductionandswitchinglossesareaddressedwithPowerMOS7®bysignificantlyloweringRDS(ON)andQg.PowerMOS7®combineslowerconductionandswitchinglossesalon	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
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APT35GA90BD15	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：管件封装/外壳：TO-247-3 类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 900V 63A 290W TO247	MicrochipMicrochip Technology Inc. 微芯科技微芯科技股份有限公司	Microchip
APT35GA90S	文件：216.54 Kbytes Page：6 Pages	HighSpeedPTIGBT	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi

产品属性

产品编号：
APT35GA90B
制造商：
Microchip Technology
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
系列：
POWER MOS 8™
包装：
卷带（TR）
IGBT 类型：
PT
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
3.1V @ 15V，18A
开关能量：
642µJ（开），382µJ（关）
输入类型：
标准
25°C 时 Td（开/关）值：
12ns/104ns
测试条件：
600V，18A，10 欧姆，15V
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-247-3
供应商器件封装：
TO-247 [B]
描述：
IGBT 900V 63A 290W TO-247

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