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AOT3N50	文件：146.64 Kbytes Page：6 Pages	500V, 3A N-Channel MOSFET	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
AOT3N50	文件：305.11 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
AOT3N50	文件：164.27 Kbytes Page：6 Pages	500V, 3A N-Channel MOSFET	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
AOT3N50	文件：1.08655 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel 650 V (D-S) MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
AOT3N50_10	文件：164.27 Kbytes Page：6 Pages	500V, 3A N-Channel MOSFET	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
3N50	文件：173.79 Kbytes Page：6 Pages	3Amps,500VoltsN-CHANNELPOWERMOSFET	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
3N50	文件：49.87 Kbytes Page：2 Pages	FastSwitching •FEATURES •DrainCurrentID=3A@TC=25℃ •DrainSourceVoltage- :VDSS=500V(Min) •StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=3.0Ω(Max) •FastSwitching •APPLICATIONS •Switchingpowersupplies,converters,ACandDCmotorcontrols	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
3N50	文件：181.85 Kbytes Page：6 Pages	3A,500VN-CHANNELPOWERMOSFET	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
3N50KG-TMS-T	文件：297.51 Kbytes Page：7 Pages	N-CHANNELINSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR DESCRIPTION TheUTC3N50K-MKisanN-channelmodepowerMOSFETusingUTC’sadvancedtechnologytoprovidecustomerswithplanarstripeandDMOStechnology.Thistechnologyallowsaminimumon-stateresistanceandsuperiorswitchingperformance.Italsocanwithstandhighenergypulseintheavala	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
3N50KG-TND-R	文件：297.51 Kbytes Page：7 Pages	N-CHANNELINSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR DESCRIPTION TheUTC3N50K-MKisanN-channelmodepowerMOSFETusingUTC’sadvancedtechnologytoprovidecustomerswithplanarstripeandDMOStechnology.Thistechnologyallowsaminimumon-stateresistanceandsuperiorswitchingperformance.Italsocanwithstandhighenergypulseintheavala	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
3N50KL-TMS-T	文件：297.51 Kbytes Page：7 Pages	N-CHANNELINSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR DESCRIPTION TheUTC3N50K-MKisanN-channelmodepowerMOSFETusingUTC’sadvancedtechnologytoprovidecustomerswithplanarstripeandDMOStechnology.Thistechnologyallowsaminimumon-stateresistanceandsuperiorswitchingperformance.Italsocanwithstandhighenergypulseintheavala	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
3N50KL-TND-R	文件：297.51 Kbytes Page：7 Pages	N-CHANNELINSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR DESCRIPTION TheUTC3N50K-MKisanN-channelmodepowerMOSFETusingUTC’sadvancedtechnologytoprovidecustomerswithplanarstripeandDMOStechnology.Thistechnologyallowsaminimumon-stateresistanceandsuperiorswitchingperformance.Italsocanwithstandhighenergypulseintheavala	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
3N50K-MK	文件：297.51 Kbytes Page：7 Pages	N-CHANNELINSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR DESCRIPTION TheUTC3N50K-MKisanN-channelmodepowerMOSFETusingUTC’sadvancedtechnologytoprovidecustomerswithplanarstripeandDMOStechnology.Thistechnologyallowsaminimumon-stateresistanceandsuperiorswitchingperformance.Italsocanwithstandhighenergypulseintheavala	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
3N50Z	文件：178.84 Kbytes Page：6 Pages	3A,500VN-CHANNELPOWERMOSFET DESCRIPTION TheUTC3N50ZisanN-channelmodepowerMOSFETusingUTC’sadvancedtechnologytoprovidecustomerswithplanarstripeandDMOStechnology.Thistechnologyallowsaminimumon-stateresistanceandsuperiorswitchingperformance.Italsocanwithstandhighenergypulseintheavalanch	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
3N50Z	文件：1.07845 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel650V(D-S)PowerMOSFET FEATURES •LowGateChargeQgResultsinSimpleDriveRequirement •ImprovedGate,AvalancheandDynamicdV/dtRuggedness •FullyCharacterizedCapacitanceandAvalancheVoltageandCurrent •ComplianttoRoHSdirective2002/95/EC	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
3N50ZG	文件：1.07849 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel650V(D-S)PowerMOSFET FEATURES •LowGateChargeQgResultsinSimpleDriveRequirement •ImprovedGate,AvalancheandDynamicdV/dtRuggedness •FullyCharacterizedCapacitanceandAvalancheVoltageandCurrent •ComplianttoRoHSdirective2002/95/EC	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
AOD3N50	文件：1.07606 Mbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
AOD3N50	文件：309.83 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
AOD3N50	文件：174.35 Kbytes Page：6 Pages	3A,500VN-ChannelMOSFET GeneralDescription TheAOD3N50&AOU3N50havebeenfabricatedusinganadvancedhighvoltageMOSFETprocessthatisdesignedtodeliverhighlevelsofperformanceandrobustnessinpopularAC-DCapplications.ByprovidinglowRDS(on),CissandCrssalongwithguaranteedavalanchecapability	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
AOD3N50	文件：331.59 Kbytes Page：6 Pages	500V,3AN-ChannelMOSFET	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD

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详细参数

型号：
AOT3N50
功能描述：
MOSFET N-CH 500V 3A TO-220
RoHS：
是
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
系列：
-
标准包装：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3 整包
供应商设备封装：
TO-220FP
包装：
管件

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多AOT3N50供应商更新时间2024-5-21 15:30:00

详细参数

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