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AOTF15S65L	文件：295.03 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
AOB15S65	文件：297.82 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor DESCRIPTION •Designedforuseinswitchmodepowersuppliesandgeneral purposeapplications. FEATURES •DrainCurrent–ID=15A@TC=25℃ •DrainSourceVoltage- :VDSS=650V(Min) •StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.78Ω(Max) •100avalanchetested •MinimumLot-to-	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
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AOT15S65L	文件：304.32 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
AOTF15S65	文件：295.01 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
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AOW15S65	文件：267.61 Kbytes Page：6 Pages	650V15AaMOSTMPowerTransistor GeneralDescription TheAOW15S65&AOWF15S65havebeenfabricatedusingtheadvancedαMOSTMhighvoltageprocessthatisdesignedtodeliverhighlevelsofperformanceandrobustnessinswitchingapplications. ByprovidinglowRDS(on),QgandEOSSalongwithguaranteedavalanchecapabilityt	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
AOW15S65	文件：342.77 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor DESCRIPTION •Designedforuseinswitchmodepowersuppliesandgeneral purposeapplications. FEATURES •DrainCurrent–ID=15A@TC=25℃ •DrainSourceVoltage- :VDSS=650V(Min) •StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.78Ω(Max) •100avalanchetested •MinimumLot-to-	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
AOWF15S65	文件：267.61 Kbytes Page：6 Pages	650V15AaMOSTMPowerTransistor GeneralDescription TheAOW15S65&AOWF15S65havebeenfabricatedusingtheadvancedαMOSTMhighvoltageprocessthatisdesignedtodeliverhighlevelsofperformanceandrobustnessinswitchingapplications. ByprovidinglowRDS(on),QgandEOSSalongwithguaranteedavalanchecapabilityt	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD

详细参数

型号：
AOTF15S65L
功能描述：
MOSFET N-CH 650V 15A TO220F
RoHS：
是
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
系列：
aMOS™
标准包装：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3 整包
供应商设备封装：
TO-220FP
包装：
管件

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