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AOT12N60FD	文件：279.55 Kbytes Page：6 Pages	600V, 12A N-Channel MOSFET GeneralDescription TheAOT12N60FD/AOTF12N60FDhavebeenfabricatedusinganadvancedhighvoltageMOSFETprocessthatisdesignedtodeliverhighlevelsofperformanceandrobustnessinpopularAC-DCapplications.ByprovidinglowRDS(on),CissandCrssalongwithguaranteedavalanchecapabili	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
AOT12N60FD	文件：304.1 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
12N60	文件：235.07 Kbytes Page：6 Pages	12Amps,600/650VoltsN-CHANNELMOSFET TheUTC12N60areN-Channelenhancementmodepowerfieldeffecttransistors(MOSFET)whichareproducedusingUTCsproprietary,planarstripe,DMOStechnology. Thesedevicesaresuitedforhighefficiencyswitchmodepowersupply.Tominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingp	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
12N60	文件：358.2 Kbytes Page：7 Pages	12Amps,600/650VoltsN-CHANNELMOSFET	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
12N60	文件：897.58 Kbytes Page：11 Pages	12A600VN-channelEnhancementModePowerMOSFET	WXDHJiangsu Donghai Semiconductor Technology Co.,Ltd 东海半导体江苏东海半导体科技有限公司	WXDH
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12N60	文件：897.54 Kbytes Page：11 Pages	12A600VN-channelEnhancementModePowerMOSFET	WXDHJiangsu Donghai Semiconductor Technology Co.,Ltd 东海半导体江苏东海半导体科技有限公司	WXDH
12N60	文件：898.24 Kbytes Page：11 Pages	12A600VN-channelEnhancementModePowerMOSFET	WXDHJiangsu Donghai Semiconductor Technology Co.,Ltd 东海半导体江苏东海半导体科技有限公司	WXDH
12N60	文件：1.0672 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel650V(D-S)PowerMOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
12N60	文件：2.2536 Mbytes Page：9 Pages	600VN-ChannelPowerMOSFET	DYELECDIYI Electronic Technology Co., Ltd. 迪一电子山东迪一电子科技有限公司	DYELEC
12N60	文件：356.07 Kbytes Page：7 Pages	N-ChannelPowerMOSFET	NELLSEMINell Semiconductor Co., Ltd 尼爾半導體尼爾半導體股份有限公司	NELLSEMI
12N60	文件：820.57 Kbytes Page：7 Pages	N-CHANNELPOWERMOSFET	ZSELECZibo Seno Electronic Engineering Co.,Ltd 淄博圣诺电子淄博圣诺电子工程有限公司	ZSELEC
12N60	文件：371.21 Kbytes Page：7 Pages	12A,600VN-CHANNELPOWERMOSFET	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
12N60	文件：194.03 Kbytes Page：2 Pages	12Amps,600VoltsN-CHANNELMOSFET	CHONGQINGCHONGQING PINGYANG ELECTRONICS CO.,LTD 重庆平伟实业重庆平伟实业股份有限公司	CHONGQING
12N60	文件：136.61 Kbytes Page：2 Pages	DrainCurrent?밒D=12A@TC=25C	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
12N60	文件：2.48891 Mbytes Page：8 Pages	N-CHANNELPOWERMOSFET	SUNMATESUNMATE electronic Co., LTD 森美特森美特半导体股份有限公司	SUNMATE
12N60A	文件：885.41 Kbytes Page：5 Pages	12A600VN-channelenhancedfieldeffecttransistor	YFWDIODEDONGGUAN YOU FENG WEI ELECTRONICS CO., LTD 佑风微电子广东佑风微电子有限公司	YFWDIODE
12N60C	文件：235.07 Kbytes Page：6 Pages	12Amps,600/650VoltsN-CHANNELMOSFET TheUTC12N60areN-Channelenhancementmodepowerfieldeffecttransistors(MOSFET)whichareproducedusingUTCsproprietary,planarstripe,DMOStechnology. Thesedevicesaresuitedforhighefficiencyswitchmodepowersupply.Tominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingp	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
12N60F	文件：2.48891 Mbytes Page：8 Pages	N-CHANNELPOWERMOSFET	SUNMATESUNMATE electronic Co., LTD 森美特森美特半导体股份有限公司	SUNMATE
12N60G	文件：2.48891 Mbytes Page：8 Pages	N-CHANNELPOWERMOSFET	SUNMATESUNMATE electronic Co., LTD 森美特森美特半导体股份有限公司	SUNMATE

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详细参数

型号：
AOT12N60FD
功能描述：
MOSFET N-CH 600V 12A TO220
RoHS：
是
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
系列：
-
标准包装：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3 整包
供应商设备封装：
TO-220FP
包装：
管件

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多AOT12N60FD供应商更新时间2024-6-13 13:35:00

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