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12N30	文件：164.53 Kbytes Page：5 Pages	12A,300VN-CHANNELPOWERMOSFET	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
AOT12N30	文件：330.49 Kbytes Page：6 Pages	300V,11.5AN-ChannelMOSFET GeneralDescription TheAOT12N30/AOTF12N30isfabricatedusinganadvancedhighvoltageMOSFETprocessthatisdesignedtodeliverhighlevelsofperformanceandrobustnessinpopularAC-DCapplications.ByprovidinglowRDS(on),CissandCrssalongwithguaranteedavalanchecapabilitythisparts	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
AOT12N30	文件：305.51 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
AOT12N30	文件：1.03218 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel650V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
AOTF12N30	文件：330.49 Kbytes Page：6 Pages	300V,11.5AN-ChannelMOSFET GeneralDescription TheAOT12N30/AOTF12N30isfabricatedusinganadvancedhighvoltageMOSFETprocessthatisdesignedtodeliverhighlevelsofperformanceandrobustnessinpopularAC-DCapplications.ByprovidinglowRDS(on),CissandCrssalongwithguaranteedavalanchecapabilitythisparts	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
AOTF12N30	文件：288.41 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=11.5A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=300V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.42Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,D	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
MTN12N30FP	文件：508.31 Kbytes Page：10 Pages	N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET	CYSTEKECCystech Electonics Corp. 全宇昕科技全宇昕科技股份有限公司	CYSTEKEC
T12N30	文件：1.03491 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel650V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
TS12N30CS	文件：270.16 Kbytes Page：4 Pages	DC-DCConverterControlandSynchronousAceFET	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 台半台湾半导体股份有限公司	TSC

详细参数

型号：
AOT12N30L
功能描述：
MOSFET N CH 300V 11.5A TO220
RoHS：
是
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
系列：
-
标准包装：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3 整包
供应商设备封装：
TO-220FP
包装：
管件

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
中天科工半导体（深圳）有限公司	AOT12N30L	Alpha & Omega Semiconductor In	24+	TO-220	30000	晶体管-分立半导体产品-原装正品	询价
深圳市科恒伟业电子有限公司	AOT12N30L	AOS	2016+	TO-220	6528	房间原装进口现货假一赔十	询价
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更多AOT12N30L供应商更新时间2024-6-15 14:14:00

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