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AOK10B60D	文件：651.89 Kbytes Page：9 Pages	600V, 10A Alpha IGBT with Diode GeneralDescription TheAlphaIGBTTMlineofproductsoffersbest-in-classperformanceinconductionandswitchinglosses,withrobustshortcircuitcapability.Theyaredesignedforeaseofparalleling,minimalgatespikeunderhighdV/dtconditionsandresistancetooscillations.Thesoftcopac	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
AOK10B60D	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：管件封装/外壳：TO-247-3 类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 600V 20A 163W TO247	Alpha \u0026 Omega Semiconductor Inc. Alpha \u0026 Omega Semiconductor Inc.	Alpha \u0026 Omega Semiconductor Inc.
AOB10B60D	文件：593.35 Kbytes Page：9 Pages	600V,10AAlphaIGBTwithDiode GeneralDescription TheAlphaIGBTTMlineofproductsoffersbest-in-classperformanceinconductionandswitchinglosses,withrobustshortcircuitcapability.Theyaredesignedforeaseofparalleling,minimalgatespikeunderhighdV/dtconditionsandresistancetooscillations.Thesoftcopac	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
AOT10B60D	文件：646.66 Kbytes Page：9 Pages	600V,10AAlphaIGBTwithDiode GeneralDescription TheAlphaIGBTTMlineofproductsoffersbest-in-classperformanceinconductionandswitchinglosses,withrobustshortcircuitcapability.Theyaredesignedforeaseofparalleling,minimalgatespikeunderhighdV/dtconditionsandresistancetooscillations.Thesoftcopac	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
AOTF10B60D	文件：659.19 Kbytes Page：9 Pages	AOTF10B60D	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
FCF10B60	文件：162.29 Kbytes Page：1 Pages	FRED	NIECNihon Inter Electronics Corporation Nihon Inter Electronics Corporation	NIEC
FCU10B60	文件：52.54 Kbytes Page：5 Pages	FRD-ForPowerFactorImprovementHighFrequencyRecification FEATURES FullyMoldedIsolation DualDiodes–CathodeCommon Ultra–FastRecovery LowForwardVoltageDrop *HighSurgeCapability	NIECNihon Inter Electronics Corporation Nihon Inter Electronics Corporation	NIEC
FSF10B60	文件：177.14 Kbytes Page：1 Pages	FRED	NIECNihon Inter Electronics Corporation Nihon Inter Electronics Corporation	NIEC
FSF10B60B	文件：194.81 Kbytes Page：1 Pages	FRED	NIECNihon Inter Electronics Corporation Nihon Inter Electronics Corporation	NIEC
FSU10B60	文件：43.11 Kbytes Page：5 Pages	FORPOWERFACTORIMPROVEMENTHIGHFREQUENCYRECTIFICATION FEATURES FullyMoldedIsolationCase Ultra–FastRecovery LowForwardVoltageDrop LowPowerLoss,HighEfficiency *HighSurgeCapability	NIECNihon Inter Electronics Corporation Nihon Inter Electronics Corporation	NIEC
GB10B60KD	文件：324.07 Kbytes Page：15 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE Features •LowVCE(on)NonPunchThroughIGBTTechnology. •LowDiodeVF. •10µsShortCircuitCapability. •SquareRBSOA. •UltrasoftDiodeReverseRecoveryCharacteristics. •PositiveVCE(on)TemperatureCoefficient. Benefits •BenchmarkEfficiencyforMotorControl. •RuggedTransien	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IKCM10B60GA	文件：572.28 Kbytes Page：16 Pages	ControlIntegratedPOwerSystem	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
IKCM10B60GA	文件：1.22597 Mbytes Page：17 Pages	ControlIntegratedPOwerSystem	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
IKCM10B60HA	文件：544.77 Kbytes Page：16 Pages	ControlIntegratedPOwerSystem	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
IRGB10B60KD	文件：324.07 Kbytes Page：15 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE Features •LowVCE(on)NonPunchThroughIGBTTechnology. •LowDiodeVF. •10µsShortCircuitCapability. •SquareRBSOA. •UltrasoftDiodeReverseRecoveryCharacteristics. •PositiveVCE(on)TemperatureCoefficient. Benefits •BenchmarkEfficiencyforMotorControl. •RuggedTransien	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRGB10B60KDPBF	文件：365.94 Kbytes Page：15 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE Features •LowVCE(on)NonPunchThroughIGBTTechnology. •LowDiodeVF. •10μsShortCircuitCapability. •SquareRBSOA. •UltrasoftDiodeReverseRecoveryCharacteristics. •PositiveVCE(on)TemperatureCoefficient. •Lead-Free Benefits •BenchmarkEfficiencyforMotorControl. •Ru	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRGS10B60KD	文件：324.07 Kbytes Page：15 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE Features •LowVCE(on)NonPunchThroughIGBTTechnology. •LowDiodeVF. •10µsShortCircuitCapability. •SquareRBSOA. •UltrasoftDiodeReverseRecoveryCharacteristics. •PositiveVCE(on)TemperatureCoefficient. Benefits •BenchmarkEfficiencyforMotorControl. •RuggedTransien	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRGS10B60KDPBF	文件：365.94 Kbytes Page：15 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE Features •LowVCE(on)NonPunchThroughIGBTTechnology. •LowDiodeVF. •10μsShortCircuitCapability. •SquareRBSOA. •UltrasoftDiodeReverseRecoveryCharacteristics. •PositiveVCE(on)TemperatureCoefficient. •Lead-Free Benefits •BenchmarkEfficiencyforMotorControl. •Ru	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRGS10B60KDPBF	文件：309.73 Kbytes Page：15 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRGSL10B60KD	文件：324.07 Kbytes Page：15 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE Features •LowVCE(on)NonPunchThroughIGBTTechnology. •LowDiodeVF. •10µsShortCircuitCapability. •SquareRBSOA. •UltrasoftDiodeReverseRecoveryCharacteristics. •PositiveVCE(on)TemperatureCoefficient. Benefits •BenchmarkEfficiencyforMotorControl. •RuggedTransien	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF

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产品属性

产品编号：
AOK10B60D
制造商：
Alpha \u0026 Omega Semiconductor Inc.
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
系列：
Alpha IGBT™
包装：
管件
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
1.8V @ 15V，10A
开关能量：
260µJ（开），70µJ（关）
输入类型：
标准
25°C 时 Td（开/关）值：
10ns/72ns
测试条件：
400V，10A，30 欧姆，15V
工作温度：
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-247-3
供应商器件封装：
TO-247
描述：
IGBT 600V 20A 163W TO247

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