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AOI417	文件：976.58 Kbytes Page：7 Pages	P-Channel40V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
AOI417	文件：297.65 Kbytes Page：2 Pages	iscP-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=-55A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=-40V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=10mΩ(Max)@VGS=-10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
AOU417	文件：971.11 Kbytes Page：8 Pages	P-Channel30-V(D-S)MOSFET FEATURES •Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21 Definition •TrenchFET®PowerMOSFET •100RgTested APPLICATIONS •LoadSwitch •BatterySwitch	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
AOU417	文件：353.74 Kbytes Page：2 Pages	iscP-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=-18A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=-30V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=22mΩ(Max)@VGS=-10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
AOU417	文件：164.05 Kbytes Page：5 Pages	P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor GeneralDescription TheAOU417usesadvancedtrenchtechnologytoprovideexcellentRDS(ON),andlowgatecharge.ThisdeviceissuitableforuseasaloadswitchorinPWMapplications.StandardproductAOU417isPb-free(meetsROHS&Sony259specifications).AOU417LisaGreenProductorde	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
AOU417L	文件：164.05 Kbytes Page：5 Pages	P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor GeneralDescription TheAOU417usesadvancedtrenchtechnologytoprovideexcellentRDS(ON),andlowgatecharge.ThisdeviceissuitableforuseasaloadswitchorinPWMapplications.StandardproductAOU417isPb-free(meetsROHS&Sony259specifications).AOU417LisaGreenProductorde	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
ATTINY417	文件：4.23984 Mbytes Page：492 Pages	AVR짰MicrocontrollerwithCoreIndependentPeripheralsandpicoPower짰Technology	MicrochipMicrochip Technology Inc. 微芯科技微芯科技股份有限公司	Microchip
BB417	文件：30.46 Kbytes Page：4 Pages	UHFvariablecapacitancediode DESCRIPTION TheBB417isavariablecapacitancediode,fabricatedinplanartechnology,andencapsulatedinthehermeticallysealedleadedglassSOD68(DO-34)package. FEATURES •Excellentlinearity •HermeticallysealedleadedglassSOD68(DO-34)package •C15:3pF;ratio:3.5. APPLICATION	PhilipsROYAL PHILIPS 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BF417	文件：96.18 Kbytes Page：3 Pages	NPNSILICONTRANSISTOR,EPITAXIALPLANAR	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
BUH417	文件：2.43533 Mbytes Page：31 Pages	SEMICONDUCTORS	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc2未分类制造商	etc2
BUH417D	文件：149.66 Kbytes Page：3 Pages	SiliconNPNPowerTransistors	SAVANTIC Savantic, Inc.	SAVANTIC
BUH417D	文件：148.07 Kbytes Page：3 Pages	SiliconNPNPowerTransistors	SAVANTIC Savantic, Inc.	SAVANTIC
BUH417D	文件：132.41 Kbytes Page：3 Pages	SiliconNPNPowerTransistors	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
CLC417	文件：147.29 Kbytes Page：8 Pages	DualLow-Power,ProgrammableGainBuffer	NSCNational Semiconductor (TI) 美国国家半导体美国国家半导体公司	NSC
CLC417AJE	文件：147.29 Kbytes Page：8 Pages	DualLow-Power,ProgrammableGainBuffer	NSCNational Semiconductor (TI) 美国国家半导体美国国家半导体公司	NSC
CLC417AJP	文件：147.29 Kbytes Page：8 Pages	DualLow-Power,ProgrammableGainBuffer	NSCNational Semiconductor (TI) 美国国家半导体美国国家半导体公司	NSC
DG417	文件：170.41 Kbytes Page：12 Pages	Improved,SPST/SPDTAnalogSwitches GeneralDescription Maxim’sredesignedDG417/DG418/DG419precision,CMOS,monolithicanalogswitchesnowfeatureguaanteedon-resistancematching(3Ωmax)betweenswitchesandguaranteedon-resistanceflatnessoverthesignalrange(4Ωmax).Theseswitchesconductequallywellineitherdirection	MaximMaximIntegrated 美信半导体	Maxim
DG417	文件：147.68 Kbytes Page：11 Pages	PrecisionCMOSAnalogSwitches	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
DG417	文件：304.39 Kbytes Page：16 Pages	PrecisionCMOSAnalogSwitches	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
DG417AK	文件：170.41 Kbytes Page：12 Pages	Improved,SPST/SPDTAnalogSwitches GeneralDescription Maxim’sredesignedDG417/DG418/DG419precision,CMOS,monolithicanalogswitchesnowfeatureguaanteedon-resistancematching(3Ωmax)betweenswitchesandguaranteedon-resistanceflatnessoverthesignalrange(4Ωmax).Theseswitchesconductequallywellineitherdirection	MaximMaximIntegrated 美信半导体	Maxim

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详细参数

型号：
AOD417
功能描述：
MOSFET P-CH -30V -25A TO-252
RoHS：
是
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
系列：
-
标准包装：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3 整包
供应商设备封装：
TO-220FP
包装：
管件

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
佛山市芯光达科技有限公司	AOD417	万国(AOS)	23+	TO-252	7981		询价
深圳市泓利达微科技有限公司	AOD417	AOS美国万代	24+	TO-252	189008	专营AOS美国万代优势现货 AOS全系列场效应管	询价
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深圳市亚泰盈科电子有限公司	AOD417	ALPHA		SOT-252	30216	提供BOM表配单TEL:0755-83759919QQ:2355705587杜S	询价
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更多AOD417供应商更新时间2024-5-17 11:00:00

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