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AOD417	文件：309.43 Kbytes Page：2 Pages	isc P-Channel MOSFET Transistor DESCRIPTION •Designedforuseinswitchmodepowersuppliesandgeneral purposeapplications. FEATURES •DrainCurrent–ID=-25A@TC=25℃ •DrainSourceVoltage- :VDSS=-30V(Min) •StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=34mΩ(Max) •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lo	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
AOD417	文件：1.02329 Mbytes Page：9 Pages	P-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES •Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21Definition •TrenchFET®PowerMOSFET •100RgTested APPLICATIONS •LoadSwitch •BatterySwitch	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
AOD417	文件：118.05 Kbytes Page：5 Pages	P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor GeneralDescription TheAOD417usesadvancedtrenchtechnologytoprovideexcellentRDS(ON),lowgatechargeandlowgateresistance.WiththeexcellentthermalresistanceoftheDPAKpackage,thisdeviceiswellsuitedforhighcurrentloadapplications. Features VDS(V)=-30V	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
AOD417	文件：144.24 Kbytes Page：6 Pages	P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
AOD417_08	文件：144.24 Kbytes Page：6 Pages	P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
417	文件：50.85 Kbytes Page：2 Pages	SURFACEMOUNTFUSES	LittelfuseLittelfuse Inc. 力特力特公司	Littelfuse
A417RU	文件：175.6 Kbytes Page：2 Pages	Single&DualOutput,4WUltra-WideInputRangeDC/DCConverters	MPD MPD (Memory Protection Devices)	MPD
AC-417	文件：109.8 Kbytes Page：1 Pages	ALUMINUMCHASSIS	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc2未分类制造商	etc2
ADG417	文件：91.82 Kbytes Page：8 Pages	LC2MOSPrecisionMini-DIPAnalogSwitch GENERALDESCRIPTION TheADG417isamonolithicCMOSSPSTswitch.ThisswitchisdesignedonanenhancedLC2MOSprocessthatprovideslowpowerdissipationyetgiveshighswitchingspeed,lowonresistanceandlowleakagecurrents. FEATURES 44VSupplyMaximumRatings VSStoVDDAnalo	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
ADG417BN	文件：91.82 Kbytes Page：8 Pages	LC2MOSPrecisionMini-DIPAnalogSwitch GENERALDESCRIPTION TheADG417isamonolithicCMOSSPSTswitch.ThisswitchisdesignedonanenhancedLC2MOSprocessthatprovideslowpowerdissipationyetgiveshighswitchingspeed,lowonresistanceandlowleakagecurrents. FEATURES 44VSupplyMaximumRatings VSStoVDDAnalo	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
ADG417BR	文件：91.82 Kbytes Page：8 Pages	LC2MOSPrecisionMini-DIPAnalogSwitch GENERALDESCRIPTION TheADG417isamonolithicCMOSSPSTswitch.ThisswitchisdesignedonanenhancedLC2MOSprocessthatprovideslowpowerdissipationyetgiveshighswitchingspeed,lowonresistanceandlowleakagecurrents. FEATURES 44VSupplyMaximumRatings VSStoVDDAnalo	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
ADG417BRZ	文件：92.05 Kbytes Page：8 Pages	LC2MOSPrecisionMini-DIPAnalogSwitch GENERALDESCRIPTION TheADG417isamonolithicCMOSSPSTswitch.ThisswitchisdesignedonanenhancedLC2MOSprocessthatprovideslowpowerdissipationyetgiveshighswitchingspeed,lowonresistanceandlowleakagecurrents. FEATURES 44VSupplyMaximumRatings VSStoVDDAnalo	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
AE417	文件：195.74 Kbytes Page：3 Pages	E-pHEMTMMIC	RFHICRFHIC RFHIC	RFHIC
AM417	文件：77.19 Kbytes Page：6 Pages	RATIOMETRICVOLTAGETRANSMITTER	AMEAnalogMicroElectronics，Inc. 安茂安茂微电子	AME
AM417	文件：276.44 Kbytes Page：18 Pages	Ratiometricinstrumentationamplifierwithadjustableoutputstage	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
AM417	文件：270.45 Kbytes Page：18 Pages	Ratiometricinstrumentationamplifierwithadjustableoutputstage FEATURES •Instrumentationamplifierinputfor positiveinputvoltages:0...200mV •Adjustablegain •Commonmodeinputrange(CMIR): 1.3…VCC-2.2V •Outputvoltageratiometrictothe supply:0.5...4.5V •Lowoffset •Lowoffsetdrift •Supplyvoltagerange: 5V±5(ratiometricrange)	WOLFSPEED WOLFSPEED, INC.	WOLFSPEED
AM417	文件：270.76 Kbytes Page：18 Pages	Ratiometricinstrumentationamplifierwithadjustableoutputstage TYPICALAPPLICATIONS •Amplificationofresistorbridgesignals •Voltagemeasuremente.g.temperaturesensors •CurrentmeasurementviaShuntresistors •Amplificationcircuitryforsensingelementse.g.siliconpressuresensingelements •Differentialinputcircuitformicroprocessors/ADC-a	ANALOGMICROAnalog Microelectronics GmbH 芸圣微电子上海芸圣微电子有限公司	ANALOGMICRO
AN417	文件：306.74 Kbytes Page：21 Pages	Fromnickel-cadmiumtonickel-hydridefastbatterycharger	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
AN-417	文件：602.52 Kbytes Page：17 Pages	Quad150MHzRail-to-RailAmplifier PRODUCTDESCRIPTION TheAD8044isaquad,lowpower,voltagefeedback,highspeedamplifierdesignedtooperateon+3V,+5V,or±5Vsupplies.Ithastruesingle-supplycapabilitywithaninputvoltagerangeextending200mVbelowthenegativerailandwithin1Vofthepositiverail. FEA	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
AN-417	文件：631.26 Kbytes Page：21 Pages	LowPower,LowNoiseandDistortionail-to-RailOutputAmplifiers GENERALDESCRIPTION TheADA4841-1/ADA4841-2areunitygainstable,lownoiseanddistortion,rail-to-railoutputamplifiersthathaveaquiescentcurrentof1.5mAmaximum.Despitetheirlowpowerconsumption,theseamplifiersofferlowwidebandvoltagenoiseperformanceof2.1nV/√Hzand1.4pA/	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD

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详细参数

型号：
AOD417
功能描述：
MOSFET P-CH -30V -25A TO-252
RoHS：
是
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
系列：
-
标准包装：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3 整包
供应商设备封装：
TO-220FP
包装：
管件

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多AOD417供应商更新时间2024-4-30 11:00:00

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