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AIKQ120N60CT	文件：1.9321 Mbytes Page：16 Pages	Low Loss DuoPack: IGBT in TRENCHSTOPTM and Fieldstop technology with soft, fast recovery antiparallel Emitter Controlled diode	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
AIKQ120N60CTXKSA1	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带封装/外壳：TO-247-3 类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT TRENCH/FS 600V 160A TO247-3	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
IKQ120N60T	文件：1.9707 Mbytes Page：16 Pages	Increasedcurrentcapability	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
IKQ120N60TA	文件：2.26713 Mbytes Page：16 Pages	verytightparameterdistribution	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
IXGK120N60B	文件：46.46 Kbytes Page：2 Pages	HiPerFASTIGBT	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
IXGR120N60B	文件：566.42 Kbytes Page：5 Pages	HiPerFASTTMIGBTISOPLUS247TM	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
IXGX120N60B	文件：46.46 Kbytes Page：2 Pages	HiPerFASTIGBT	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
IXGX120N60B	文件：161.86 Kbytes Page：5 Pages	HiPerFASTIGBTs	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
PJMF120N60EC	文件：567.82 Kbytes Page：7 Pages	600VN-ChannelSuperJunctionMOSFET Feature: RDS(ON)Max,VGS@10V:120mΩ Easytouse/drive HighSpeedSwitchingandLowRDS(ON) 100AvalancheTested 100RgTested LeadfreeincompliancewithEURoHS2.0 GreenmoldingcompoundasperIEC61249standard MechanicalData Case:ITO-220AB-Fpackage Terminals:	PANJITPANJIT International Inc. 强茂強茂股份有限公司	PANJIT
PJMH120N60EC	文件：582.3 Kbytes Page：7 Pages	600VN-ChannelSuperJunctionMOSFET Feature: RDS(ON)Max,VGS@10V:120mΩ Easytouse/drive HighSpeedSwitchingandLowRDS(ON) 100AvalancheTested 100RgTested LeadfreeincompliancewithEURoHS2.0 GreenmoldingcompoundasperIEC61249standard MechanicalData Case:TO-247AD-3LDpackage Terminals	PANJITPANJIT International Inc. 强茂強茂股份有限公司	PANJIT
PJMP120N60EC	文件：565.83 Kbytes Page：7 Pages	600VN-ChannelSuperJunctionMOSFET Feature: RDS(ON)Max,VGS@10V:120mΩ Easytouse/drive HighSpeedSwitchingandLowRDS(ON) 100AvalancheTested 100RgTested LeadfreeincompliancewithEURoHS2.0 GreenmoldingcompoundasperIEC61249standard MechanicalData Case:TO-220AB-Lpackage Terminals:	PANJITPANJIT International Inc. 强茂強茂股份有限公司	PANJIT
SIHA120N60E	文件：154.34 Kbytes Page：8 Pages	ESeriesPowerMOSFET FEATURES •4thgenerationEseriestechnology •Lowfigure-of-merit(FOM)RonxQg •Loweffectivecapacitance(Co(er)) •Reducedswitchingandconductionlosses •Avalancheenergyrated(UIS) •Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 AP	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
SIHB120N60E	文件：193.5 Kbytes Page：9 Pages	ESeriesPowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
SIHG120N60E	文件：193.54 Kbytes Page：10 Pages	ESeriesPowerMOSFET FEATURES •4thgenerationEseriestechnology •Lowfigure-of-merit(FOM)RonxQg •Loweffectivecapacitance(Co(er)) •Reducedswitchingandconductionlosses •Avalancheenergyrated(UIS) •Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 AP	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
SIHH120N60E	文件：186.65 Kbytes Page：10 Pages	ESeriesPowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
SIHP120N60E	文件：130.509 Kbytes Page：7 Pages	ESeriesPowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay

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深圳市宇集芯电子有限公司	AIKQ120N60CT	Infineon/英飞凌	24+	TO-247	163000	一级代理商现货保证进口原装正品假一罚十价格合理	询价
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