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AIKQ120N60CT分立半导体产品晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF中文资料

AIKQ120N60CT
厂商型号

AIKQ120N60CT

参数属性

AIKQ120N60CT 封装/外壳为TO-247-3;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单;产品描述:IGBT TRENCH/FS 600V 160A TO247-3

功能描述

Low Loss DuoPack: IGBT in TRENCHSTOPTM and Fieldstop technology with soft, fast recovery antiparallel Emitter Controlled diode
IGBT TRENCH/FS 600V 160A TO247-3

文件大小

1.9321 Mbytes

页面数量

16

生产厂商 Infineon Technologies AG
企业简称

Infineon英飞凌

中文名称

英飞凌科技公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2024-5-26 18:01:00

AIKQ120N60CT规格书详情

AIKQ120N60CT属于分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单。英飞凌科技公司制造生产的AIKQ120N60CT晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT(绝缘栅双极晶体管)是一种具有三个端子的多层半导体器件,能够处理大电流,具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。

产品属性

  • 产品编号:

    AIKQ120N60CTXKSA1

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

  • 系列:

    Automotive, AEC-Q101, TrenchStop™

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • IGBT 类型:

    沟槽型场截止

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):

    2V @ 15V,120A

  • 开关能量:

    4.1mJ(开),2.8mJ(关)

  • 输入类型:

    标准

  • 25°C 时 Td(开/关)值:

    33ns/310ns

  • 测试条件:

    400V,120A,3 欧姆,15V

  • 工作温度:

    -40°C ~ 175°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-247-3

  • 供应商器件封装:

    PG-TO247-3-46

  • 描述:

    IGBT TRENCH/FS 600V 160A TO247-3

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