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AIKQ120N60CT分立半导体产品晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF中文资料
厂商型号 |
AIKQ120N60CT |
参数属性 | AIKQ120N60CT 封装/外壳为TO-247-3;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单;产品描述:IGBT TRENCH/FS 600V 160A TO247-3 |
功能描述 | Low Loss DuoPack: IGBT in TRENCHSTOPTM and Fieldstop technology with soft, fast recovery antiparallel Emitter Controlled diode |
文件大小 |
1.9321 Mbytes |
页面数量 |
16 页 |
生产厂商 | Infineon Technologies AG |
企业简称 |
Infineon【英飞凌】 |
中文名称 | 英飞凌科技公司官网 |
原厂标识 | |
数据手册 | |
更新时间 | 2024-5-26 18:01:00 |
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AIKQ120N60CT属于分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单。英飞凌科技公司制造生产的AIKQ120N60CT晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT(绝缘栅双极晶体管)是一种具有三个端子的多层半导体器件,能够处理大电流,具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。
产品属性
- 产品编号:
AIKQ120N60CTXKSA1
- 制造商:
Infineon Technologies
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
- 系列:
Automotive, AEC-Q101, TrenchStop™
- 包装:
卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带
- IGBT 类型:
沟槽型场截止
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):
2V @ 15V,120A
- 开关能量:
4.1mJ(开),2.8mJ(关)
- 输入类型:
标准
- 25°C 时 Td(开/关)值:
33ns/310ns
- 测试条件:
400V,120A,3 欧姆,15V
- 工作温度:
-40°C ~ 175°C(TJ)
- 安装类型:
通孔
- 封装/外壳:
TO-247-3
- 供应商器件封装:
PG-TO247-3-46
- 描述:
IGBT TRENCH/FS 600V 160A TO247-3
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
Infineon/英飞凌 |
23+ |
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25000 |
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Infineon/英飞凌 |
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Infineon(英飞凌) |
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标准封装 |
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