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AFGHL75T65SQDT	文件：260.899 Kbytes Page：9 Pages	Field Stop Trench IGBT 650 V, 75 A	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
AFGHL75T65SQDT	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：管件封装/外壳：TO-247-3 类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：650V/75A FS4 IGBT TO247 L	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
AFGHL75T65SQ	文件：246.44 Kbytes Page：9 Pages	FieldStopTrenchIGBT	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
AFGHL75T65SQD	文件：340.62 Kbytes Page：9 Pages	FieldStopTrenchIGBT650V,75A	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
AFGHL75T65SQDC	文件：261.649 Kbytes Page：10 Pages	HybridFieldStopTrenchIGBT650V,75A,TO247	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
FGH75T65SHD	文件：1.26049 Mbytes Page：9 Pages	IGBT-FieldStop,Trench650V,75A	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
FGH75T65SHDT	文件：2.196 Mbytes Page：9 Pages	IGBT-FieldStop,Trench650V,75A	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
FGH75T65SQD	文件：532.54 Kbytes Page：10 Pages	IGBT-FieldStop,Trench650V,75A	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
FGH75T65SQDT	文件：1.0744 Mbytes Page：11 Pages	http://115.22.68.60/master/PDF_DATA/ONSEMI/FGH75T65SQDT.PDF	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
FGH75T65UPD	文件：922.83 Kbytes Page：10 Pages	650V,75AFieldStopTrenchIGBT	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FGHL75T65LQDT	文件：405.67 Kbytes Page：4 Pages	TrenchandFieldStopIGBT DESCRIPTION ·LowSaturationVoltage:VCE(sat)=1.35V@IC=75A ·HighCurrentCapability ·HighInputImpedance ·FastSwitching APPLICATIONS ·SynchronousRectificationinSMPS ·AutomotiveChargers ·UPS,PFC ·HighVoltageAuxiliaries	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC

产品属性

产品编号：
AFGHL75T65SQDT
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
系列：
Automotive, AEC-Q101
包装：
管件
IGBT 类型：
沟槽型场截止
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
2.1V @ 15V，75A
开关能量：
2.12mJ（开），1.14mJ（关）
输入类型：
标准
25°C 时 Td（开/关）值：
24ns/106ns
测试条件：
400V，75A，4.7 欧姆，15V
工作温度：
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-247-3
供应商器件封装：
TO-247-3
描述：
650V/75A FS4 IGBT TO247 L

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更多AFGHL75T65SQDT供应商更新时间2024-5-11 9:50:00

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