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AFGY120T65SPD

Field Stop Trench IGBT with Soft Fast Recovery Diode 120A, 650V

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

AFGY120T65SPD

包装:管件 封装/外壳:TO-247-3 类别:分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 描述:IGBT - 650 V 120 A FS3 FOR EV TR

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

AFGY120T65SPD-B4

Field Stop Trench IGBT With Soft Fast Recovery Diode and VCESAT, VTH Binning

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

AFGY120T65SPD-B4

包装:散装 封装/外壳:TO-247-3 类别:分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 描述:IGBT FS3 120A 650V TO247-3

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

产品属性

  • 产品编号:

    AFGY120T65SPD

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

  • 系列:

    Automotive, AEC-Q101

  • 包装:

    管件

  • IGBT 类型:

    沟槽型场截止

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):

    2.05V @ 15V,120A

  • 开关能量:

    6.6mJ(开),3.8mJ(关)

  • 输入类型:

    标准

  • 25°C 时 Td(开/关)值:

    40ns/80ns

  • 测试条件:

    400V,120A,5 欧姆,15V

  • 工作温度:

    -55°C ~ 175°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-247-3

  • 供应商器件封装:

    TO-247-3

  • 描述:

    IGBT - 650 V 120 A FS3 FOR EV TR

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
onsemi/安森美
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onsemi(安森美)
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更多AFGY120T65SPD供应商 更新时间2024-6-1 9:05:00