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OPA659IDBVR	文件：1.33121 Mbytes Page：32 Pages	Wideband,Unity-GainStable,JFET-InputOPERATIONALAMPLIFIER	NSCNational Semiconductor (TI) 美国国家半导体美国国家半导体公司	NSC
OPA659IDBVR	文件：1.52715 Mbytes Page：35 Pages	JFET-InputOperationalAmplifier	TI1Texas Instruments(TI) 德州仪器德州仪器 (TI)	TI1
OPA659IDBVT	文件：1.33121 Mbytes Page：32 Pages	Wideband,Unity-GainStable,JFET-InputOPERATIONALAMPLIFIER	NSCNational Semiconductor (TI) 美国国家半导体美国国家半导体公司	NSC
OPA659IDBVT	文件：1.52715 Mbytes Page：35 Pages	JFET-InputOperationalAmplifier	TI1Texas Instruments(TI) 德州仪器德州仪器 (TI)	TI1
OPA659IDBVT	文件：930.71 Kbytes Page：25 Pages	Wideband,Unity-GainStable,JFET-InputOPERATIONALAMPLIFIER	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI
OPA659IDRBR	文件：930.71 Kbytes Page：25 Pages	Wideband,Unity-GainStable,JFET-InputOPERATIONALAMPLIFIER	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI
OPA659IDRBR	文件：1.33121 Mbytes Page：32 Pages	Wideband,Unity-GainStable,JFET-InputOPERATIONALAMPLIFIER	NSCNational Semiconductor (TI) 美国国家半导体美国国家半导体公司	NSC
OPA659IDRBR	文件：1.52715 Mbytes Page：35 Pages	JFET-InputOperationalAmplifier	TI1Texas Instruments(TI) 德州仪器德州仪器 (TI)	TI1
OPA659IDRBT	文件：1.52715 Mbytes Page：35 Pages	JFET-InputOperationalAmplifier	TI1Texas Instruments(TI) 德州仪器德州仪器 (TI)	TI1
OPA659IDRBT	文件：1.33121 Mbytes Page：32 Pages	Wideband,Unity-GainStable,JFET-InputOPERATIONALAMPLIFIER	NSCNational Semiconductor (TI) 美国国家半导体美国国家半导体公司	NSC
OPA659IDRBT	文件：930.71 Kbytes Page：25 Pages	Wideband,Unity-GainStable,JFET-InputOPERATIONALAMPLIFIER	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI
P659	文件：115.85 Kbytes Page：2 Pages	SMPFEMALEMITERRIGHTANGLETOSEMI-RIGIDCABLE	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc2未分类制造商	etc2
PLVA659A	文件：223.79 Kbytes Page：10 Pages	Low-voltageavalancheregulatordiodes 1.Generaldescription HighperformancevoltageregulatordiodesinasmallSOT23(TO-236AB),Surface-Mounted Device(SMD)plasticpackage. 2.Featuresandbenefits •Verylowdynamicimpedanceatlowcurrents:approximately5ofconventionalseries •Hardbreakdownknee •Lownoise:appr	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PLVA659A	文件：43.9 Kbytes Page：8 Pages	Low-voltageavalancheregulatordiodes DESCRIPTION HighperformancevoltageregulatordiodesinsmallSOT23plasticSMDpackages. TheseriesconsistsofPLVA650AtoPLVA668A. FEATURES •Verylowdynamicimpedanceatlowcurrents:approximately1⁄20ofconventionalseries •Hardbreakdownknee •Lownoise:approximat	PhilipsROYAL PHILIPS 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PLVA659A-Q	文件：206.37 Kbytes Page：10 Pages	Low-voltageavalancheregulatordiodes 1.Generaldescription HighperformancevoltageregulatordiodesinasmallSOT23(TO-236AB),Surface-Mounted Device(SMD)plasticpackage. 2.Featuresandbenefits •Verylowdynamicimpedanceatlowcurrents:approximately5ofconventionalseries •Hardbreakdownknee •Lownoise:appr	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
S659	文件：418.5 Kbytes Page：1 Pages	350WATTSDC/DCSINGLEOUTPUT	POWERBOX Powerbox manufactures	POWERBOX
SBC-659P	文件：410.75 Kbytes Page：1 Pages	IntelPentiumIIIandCeleronProcessors	AAEONAAEON Technology 研扬科技研扬科技（苏州）有限公司	AAEON
SDR659	文件：80.01 Kbytes Page：2 Pages	ULTRAFASTRECOVERYRECTIFIER	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
SLVU659A	文件：425.45 Kbytes Page：17 Pages	TPS62125EVM-044EvaluationModule	TI1Texas Instruments(TI) 德州仪器德州仪器 (TI)	TI1
STB659B	文件：73.52 Kbytes Page：4 Pages	SURFACEMOUNTBIDIRECTIONALTRANSIENTVOLTAGESUPPRESSOR	EIC EIC	EIC

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详细参数

型号：
ADG659YRQ-REEL
功能描述：
IC MULTIPLEXER DUAL 4X1 16QSOP
RoHS：
否
类别：
集成电路(IC) >> 接口 - 模拟开关，多路复用器，多路分解器
系列：
-
标准包装：
1,000
功能：
多路复用器
电路：
1 x
4：
1
导通状态电阻：
-
电压电源：
双电源电压 -
电源，单路/双路(±)：
±5V 电流 -
电源：
7mA
工作温度：
-40°C ~ 85°C
安装类型：
表面贴装
封装/外壳：
16-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
供应商设备封装：
16-SOIC
包装：
带卷(TR)

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