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71V016SA12PHGI8	文件：210.22 Kbytes Page：11 Pages	3.3V CMOS Static RAM 1 Meg (64K x 16-Bit) Features ◆64Kx16advancedhigh-speedCMOSStaticRAM ◆Equalaccessandcycletimes —Commercial:10/12/15/20ns —Industrial:10/12/15/20ns ◆OneChipSelectplusoneOutputEnablepin ◆Bidirectionaldatainputsandoutputsdirectly LVTTL-compatible ◆Lowpowerconsumptionviachipdes	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
71V016SA12PHGI8	文件：116.03 Kbytes Page：9 Pages	3.3V CMOS Static RAM	IDTIntegrated Device Technology, Inc. 集成器深圳市集成器件技术有限公司	IDT
71V016SA12PHGI8	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）封装/外壳：44-TSOP（0.400"，10.16mm 宽）类别：集成电路（IC）存储器描述：IC SRAM 1MBIT PARALLEL 44TSOP II	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS

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71V016SA12PHGI8

文件：210.22 Kbytes

Page：11 Pages

3.3V CMOS Static RAM 1 Meg (64K x 16-Bit)

Features ◆64Kx16advancedhigh-speedCMOSStaticRAM ◆Equalaccessandcycletimes —Commercial:10/12/15/20ns —Industrial:10/12/15/20ns ◆OneChipSelectplusoneOutputEnablepin ◆Bidirectionaldatainputsandoutputsdirectly LVTTL-compatible ◆Lowpowerconsumptionviachipdes

RENESASRenesas Electronics America

瑞萨瑞萨科技有限公司

RENESAS

71V016SA12PHGI8

文件：116.03 Kbytes

Page：9 Pages

3.3V CMOS Static RAM

IDTIntegrated Device Technology, Inc.

集成器深圳市集成器件技术有限公司

IDT

71V016SA12PHGI8

文件：100 bytes

Page：1 Pages

包装：卷带（TR）封装/外壳：44-TSOP（0.400"，10.16mm 宽）类别：集成电路（IC）存储器描述：IC SRAM 1MBIT PARALLEL 44TSOP II

RENESASRenesas Electronics America

瑞萨瑞萨科技有限公司

RENESAS

产品属性

产品编号：
71V016SA12PHGI8
制造商：
Renesas Electronics America Inc
类别：
集成电路（IC） > 存储器
包装：
卷带（TR）
存储器类型：
易失
存储器格式：
SRAM
技术：
SRAM - 异步
存储容量：
1Mb（64K x 16）
存储器接口：
并联
写周期时间 - 字，页：
12ns
电压 - 供电：
3V ~ 3.6V
工作温度：
-40°C ~ 85°C（TA）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
44-TSOP（0.400"，10.16mm 宽）
供应商器件封装：
44-TSOP II
描述：
IC SRAM 1MBIT PARALLEL 44TSOP II

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市毅创辉电子科技有限公司	71V016SA12PHGI8	RENESAS(瑞萨)	23+	44-TSOP (18.41L X 10.16W X 0.8	15000	全新、原装	询价
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更多71V016SA12PHGI8供应商更新时间2024-5-31 8:54:00

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