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7164L45YGI8	文件：749.13 Kbytes Page：10 Pages	CMOS Static RAM 64K	IDTIntegrated Device Technology, Inc. 集成器深圳市集成器件技术有限公司	IDT
7164L45DB	文件：213.71 Kbytes Page：12 Pages	CMOSStaticRAM64K(8Kx8-Bit) Features ◆High-speedaddress/chipselectaccesstime –Commercial:20/25ns(max.) –Industrial:20/25ns(max.) –Military:20/25/35/45/55/70/85/100ns(max.) ◆Lowpowerconsumption ◆Batterybackupoperation–2Vdataretentionvoltage (LVersiononly) ◆ProducedwithadvancedCMOShigh-p	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
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7164L45TDB	文件：213.71 Kbytes Page：12 Pages	CMOSStaticRAM64K(8Kx8-Bit) Features ◆High-speedaddress/chipselectaccesstime –Commercial:20/25ns(max.) –Industrial:20/25ns(max.) –Military:20/25/35/45/55/70/85/100ns(max.) ◆Lowpowerconsumption ◆Batterybackupoperation–2Vdataretentionvoltage (LVersiononly) ◆ProducedwithadvancedCMOShigh-p	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
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IDT7164L45DB	文件：104.93 Kbytes Page：9 Pages	CMOSSTATICRAM64K(8Kx8-BIT) Description TheIDT7164isa65,536bithigh-speedstaticRAMorganizedas8Kx8.ItisfabricatedusingIDT’shigh-performance,high-reliabilityCMOStechnology. Addressaccesstimesasfastas15nsareavailableandthecircuitoffersareducedpowerstandbymode.WhenCS1goesHIGHorCS	IDTIntegrated Device Technology, Inc. 集成器深圳市集成器件技术有限公司	IDT
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IDT7164L45Y	文件：104.93 Kbytes Page：9 Pages	CMOSSTATICRAM64K(8Kx8-BIT) Description TheIDT7164isa65,536bithigh-speedstaticRAMorganizedas8Kx8.ItisfabricatedusingIDT’shigh-performance,high-reliabilityCMOStechnology. Addressaccesstimesasfastas15nsareavailableandthecircuitoffersareducedpowerstandbymode.WhenCS1goesHIGHorCS	IDTIntegrated Device Technology, Inc. 集成器深圳市集成器件技术有限公司	IDT
IDT7164L45YB	文件：104.93 Kbytes Page：9 Pages	CMOSSTATICRAM64K(8Kx8-BIT) Description TheIDT7164isa65,536bithigh-speedstaticRAMorganizedas8Kx8.ItisfabricatedusingIDT’shigh-performance,high-reliabilityCMOStechnology. Addressaccesstimesasfastas15nsareavailableandthecircuitoffersareducedpowerstandbymode.WhenCS1goesHIGHorCS	IDTIntegrated Device Technology, Inc. 集成器深圳市集成器件技术有限公司	IDT

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