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IRFIB6N60A	文件：149.09 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET(Vdss=600V,Rds(on)max=0.75ohm,Id=5.5A) Applications SwitchModePowerSupply(SMPS) UninterruptablePowerSupply Highspeedpowerswitching HighVoltageIsolation=2.5KVRMS Benefits LowGateChargeQgresultsinSimpleDriveRequirement ImprovedGate,Avalancheanddynamicdv/dtRuggedness FullyCharacteri	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRFIB6N60A	文件：159.49 Kbytes Page：8 Pages	VishaySiliconix FEATURES •LowGateChargeQgResultsinSimpleDriveRequirement •ImprovedGate,AvalancheandDynamicdV/dtRuggedness •FullyCharacterizedCapacitanceandAvalancheVoltageandCurrent •ComplianttoRoHSdirective2002/95/EC APPLICATIONS •SwitchModePowerSupply(SMPS)	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
IRFIB6N60A	文件：319.83 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRFIB6N60APBF	文件：223.44 Kbytes Page：9 Pages	HEXFETPowerMOSFET Benefits LowGateChargeQgresultsinSimpleDriveRequirement ImprovedGate,Avalancheanddynamicdv/dtRuggedness FullyCharacterizedCapacitanceandAvalancheVoltageandCurrent Applications SwitchModePowerSupply(SMPS) UninterruptablePowerSupply Highspeedpowe	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRFIB6N60APBF	文件：200.13 Kbytes Page：10 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
KF6N60D	文件：488.18 Kbytes Page：6 Pages	NCHANNELMOSFIELDEFFECTTRANSISTOR GeneralDescription ThisplanarstripeMOSFEThasbettercharacteristics,suchasfastswitchingtime,lowonresistance,lowgatechargeandexcellentavalanchecharacteristics.Itismainlysuitableforelectronicballastandswitchingmodepowersupplies. FEATURES •VDSS(Min.)=600V,ID=5A	KECKEC CORPORATION KEC株式会社	KEC
KF6N60P	文件：1.22673 Mbytes Page：7 Pages	NCHANNELMOSFIELDEFFECTTRANSISTOR GeneralDescription ThisplanarstripeMOSFEThasbettercharacteristics,suchasfastswitchingtime,lowonresistance,lowgatechargeandexcellentavalanchecharacteristics.Itismainlysuitableforelectronicballastandswitchingmodepowersupplies. FEATURES •VDSS(Min.)=600V,ID=6A	KECKEC CORPORATION KEC株式会社	KEC
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KSMB6N60C	文件：1.48918 Mbytes Page：8 Pages	600VN-ChannelMOSFET	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
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KSMD6N60C	文件：1.97197 Mbytes Page：7 Pages	600VN-ChannelMOSFET	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
KSMF6N60	文件：687.55 Kbytes Page：4 Pages	Lowgatecharge.	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
KSMF6N60C	文件：2.23424 Mbytes Page：7 Pages	600VN-ChannelMOSFET	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
KSMI6N60C	文件：1.48918 Mbytes Page：8 Pages	600VN-ChannelMOSFET	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
KSMU6N60	文件：651.58 Kbytes Page：4 Pages	Excellentpackageforgoodheatdissipation.	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
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MDP6N60TH	文件：1.10094 Mbytes Page：9 Pages	N-ChannelMOSFET600V,6A,1.4ohm	MGCHIP MagnaChip Semiconductor.	MGCHIP

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