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2SK3563	文件：348.59 Kbytes Page：3 Pages	TOSHIBAFieldEffectTransistorSiliconNChannelMOSType(PIE-MOS4) SwitchingRegulatorApplications •Lowdrain-sourceONresistance:RDS(ON)=1.35Ω(typ.) •Highforwardtransferadmittance:\|Yfs\|=3.5S(typ.) •Lowleakagecurrent:IDSS=100μA(max)(VDS=500V) •Enhancementmode:Vth=2.0to4.0V(VDS=10V,ID=1mA)	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝	TOSHIBA
2SK3563	文件：245.79 Kbytes Page：6 Pages	SiliconNChannelMOSTypeSwitchingRegulatorApplications	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝	TOSHIBA
2SK3563	文件：211.91 Kbytes Page：6 Pages	SwitchingRegulatorApplications	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝	TOSHIBA
2SK3563	文件：1.58274 Mbytes Page：73 Pages	BipolarSmall-SignalTransistors MOSGT30F12630F12630A/330VIGBTTO-220F Toshiba30F126GT30F126 Referencesite:http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html ReferencePDF(30F124,30F125,30F127,30F128,30F131) :http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝	TOSHIBA
2SK3563	文件：323.37 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC

更多2SK3563(Q)供应商更新时间2024-5-16 16:30:00