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2SK3569

TOSHIBAFieldEffectTransistorSiliconNChannelMOSType(PIE-MOSVI)

SwitchingRegulatorApplications •Lowdrain-sourceON-resistance:RDS(ON)=0.54Ω(typ.) •Highforwardtransferadmittance:|Yfs|=8.5S(typ.) •Lowleakagecurrent:IDSS=100μA(max)(VDS=600V) •Enhancementmode:Vth=2.0to4.0V(VDS=10V,ID=1mA)

TOSHIBAToshiba Semiconductor

东芝株式会社東芝

2SK3569

SiliconNChannelMOSTypeSwitchingRegulatorApplications

TOSHIBAToshiba Semiconductor

东芝株式会社東芝

2SK3569

SwitchingRegulatorApplications

TOSHIBAToshiba Semiconductor

东芝株式会社東芝

2SK3569

iscN-ChannelMOSFETTransistor

DESCRIPTION •Collector-EmitterBreakdownVoltage- :V(BR)CEO=25V(Min) •ComplementtoType2SB1119 •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdeviceperformanceandreliableoperation APPLICATIONS •DesignedforLFAmpElectronicGovernorapplications.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

2SK3569

BipolarSmall-SignalTransistors

MOSGT30F12630F12630A/330VIGBTTO-220F Toshiba30F126GT30F126 Referencesite:http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html ReferencePDF(30F124,30F125,30F127,30F128,30F131) :http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf

TOSHIBAToshiba Semiconductor

东芝株式会社東芝

详细参数

  • 型号:

    2SK3569(Q)

  • 功能描述:

    MOSFET N-Ch 600V 10A Rdson 0.75 Ohm

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

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更多2SK3569(Q)供应商 更新时间2024-5-14 16:30:00