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2SK3482	文件：165.45 Kbytes Page：8 Pages	SWITCHINGN-CHANNELPOWERMOSFET	NECRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司
2SK3482	文件：46.94 Kbytes Page：1 Pages	MOSFieldEffectTransistor	KEXINGUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD 科信电子广东科信实业有限公司
2SK3482	文件：1.52206 Mbytes Page：6 Pages	N-Channel100V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司
2SK3482	文件：1.05095 Mbytes Page：4 Pages	N-ChannelMOSFETusesadvancedtrenchtechnology	DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD. 杜因特深圳市杜因特半导体有限公司
2SK3482	文件：399.62 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
2SK3482	文件：250.46 Kbytes Page：10 Pages	MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR SWITCHING N-CHANNELPOWERMOSFET DESCRIPTION The2SK3482isN-channelMOSFieldEffectTransistor designedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES •Lowon-stateresistance RDS(on)1=33mΩMAX.(VGS=10V,ID=18A) RDS(on)2=39mΩMAX.(VGS=4.5V,ID=18A) •LowCi	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司
2SK3482-Z	文件：250.46 Kbytes Page：10 Pages	MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR SWITCHING N-CHANNELPOWERMOSFET DESCRIPTION The2SK3482isN-channelMOSFieldEffectTransistor designedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES •Lowon-stateresistance RDS(on)1=33mΩMAX.(VGS=10V,ID=18A) RDS(on)2=39mΩMAX.(VGS=4.5V,ID=18A) •LowCi	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司
2SK3482-Z	文件：332.07 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
2SK3482-Z	文件：165.45 Kbytes Page：8 Pages	SWITCHINGN-CHANNELPOWERMOSFET	NECRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司

详细参数

型号：
2SK3482-AZ
功能描述：
MOSFET N-CH 100V MP-3/TO-251
RoHS：
是
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
系列：
-
标准包装：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3 整包
供应商设备封装：
TO-220FP
包装：
管件

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