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2SK3456	文件：45.26 Kbytes Page：1 Pages	MOSFieldEffectTransistor Features Lowgatecharge QG=30nCTYP.(VDD=400V,VGS=10V,ID=12A) Gatevoltagerating30V Lowon-stateresistance RDS(on)=0.60MAX.(VGS=10V,ID=6.0A) Avalanchecapabilityratings Surfacemountpackageavailable	KEXINGUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
2SK3456	文件：238.15 Kbytes Page：10 Pages	MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR SWITCHING N-CHANNELPOWERMOSFET DESCRIPTION The2SK3456isN-channelDMOSFETdevicethat featuresalowgatechargeandexcellentswitching characteristics,designedforhighvoltageapplicationssuch asswitchingpowersupply,ACadapter. FEATURES •Lowgatecharge QG=30nCTYP.	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
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详细参数

型号：
2SK3456-AZ
制造商：
Renesas Electronics
功能描述：
Nch 500V 12A 600m@10V TO220AB Bulk

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多2SK3456-AZ供应商更新时间2024-5-21 10:49:00

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