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2SK2983-ZJ	文件：65.76 Kbytes Page：8 Pages	SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE DESCRIPTION ThisproductisN-ChannelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplication. FEATURES •Lowon-resistance RDS(on)1=20mΩ(MAX.)(VGS=10V,ID=15A) RDS(on)2=27mΩ(MAX.)(VGS=4.5V,ID=15A) •LowCissCiss=1200pFTYP. •Bu	NECRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	NEC
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