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2SD186	文件：25.15 Kbytes Page：1 Pages	2SD186	ETC1List of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC1
2SD1861	文件：48.61 Kbytes Page：1 Pages	Epitaxial Planar NPN Silicon Darlington Transistors [ROHM] Features 1)DarlingtonconnectionproviseshighDCcurrentgain(hFE). 2)Built-inresistanceofapprox.4kΩbetweenitsbaseandemitter.Excellenttempraturestability.	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
2SD1861	文件：72.03 Kbytes Page：3 Pages	Power transistor (40V, 2A) Features 1)DarlingtonconnectionforhighDCcurrentgain. 2)Built-in4kΩresistorbetweenbaseandemitter. 3)Complementsthe2SB1183/2SB1239.	ROHMRohm Semiconductor 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
2SD1862	文件：107.46 Kbytes Page：4 Pages	Medium Power Transistor (32V, 2A) Features 1)LowVCE(sat).VCE(sat)=0.5V(Typ.)(IC/IB=2A/0.2A) 2)Complementsthe2SB1188/2SB1182/2SB1240/2SB891F/2SB822/2SB1277/2SB911M Structure Epitaxialplanartype NPNsilicontransistor	ROHMRohm Semiconductor 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
2SD1862	文件：124.57 Kbytes Page：4 Pages	Medium Power Transistor (32V, 2A) FTR•FTL Lowprofileflat-packageforlimitedspeceapplications. Tapetypecanbeusedonautomatedline.Bulktypeisalsoavailable.	ROHMRohm Semiconductor 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
2SD1862	文件：176.4 Kbytes Page：4 Pages	Medium power transistor (32V, 2A) Features 1)LowVCE(sat).VCE(sat)=0.5V(Typ.)(IC/IB=2A/0.2A) 2)Complementsthe2SB1188/2SB1182/2SB1240/2SB891F/2SB822/2SB1277/2SB911M Structure Epitaxialplanartype NPNsilicontransistor	ROHMRohm Semiconductor 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
2SD1863	文件：89.47 Kbytes Page：4 Pages	Power Transistor (80V, 1A) ●Features 1)HighVCEO,VCEO=80V 2)HighIC,IC=1A(DC) 3)GoodhFElinearity. 4)LowVCE(sat). 5)Complementsthe2SB1260/2SB1241/2SB1181.	ROHMRohm Semiconductor 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
2SD1864	文件：81.97 Kbytes Page：3 Pages	Power Transistor (50V, 3A) PowerTransistor(50V,3A) Features 1)LowVCE(sat), VCE(sat)=0.5V(Typ.) (IC/IB=2A/0.2A) 2)Complementsthe 2SB1184/2SB1243/2SB1185. Structure EpitaxialplanartypeNPNsilicontransistor	ROHMRohm Semiconductor 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
2SD1864	文件：153.28 Kbytes Page：4 Pages	Power Transistor (50V, 3A) PowerTransistor(50V,3A) Features 1)LowVCE(sat), VCE(sat)=0.5V(Typ.) (IC/IB=2A/0.2A) 2)Complementsthe 2SB1184/2SB1243/2SB1185. Structure EpitaxialplanartypeNPNsilicontransistor	ROHMRohm Semiconductor 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
2SD1864	文件：147 Kbytes Page：4 Pages	Power Transistor (50V, 3A) PowerTransistor(50V,3A) Features 1)LowVCE(sat), VCE(sat)=0.5V(Typ.) (IC/IB=2A/0.2A) 2)Complementsthe 2SB1184/2SB1243/2SB1185. Structure EpitaxialplanartypeNPNsilicontransistor	ROHMRohm Semiconductor 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
2SD1864	文件：77.01 Kbytes Page：3 Pages	Power Transistor 50V, 3A PowerTransistor(50V,3A) Features 1)LowVCE(sat), VCE(sat)=0.5V(Typ.) (IC/IB=2A/0.2A) 2)Complementsthe 2SB1184/2SB1243/2SB1185. Structure EpitaxialplanartypeNPNsilicontransistor	ROHMRohm Semiconductor 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
2SD1866	文件：89.73 Kbytes Page：4 Pages	Medium Power Transistor(Motor, Relay drive) (60짹10V, 2A) Features 1)Built-inzenerdiodebetweencollectorandbase. 2)StrongprotectionagainstreversesurgesduetoLloads. 3)Built-inresistorbetweenbaseandemitter. 4)Built-indamperdiode.	ROHMRohm Semiconductor 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
2SD1866TV2	文件：107.08 Kbytes Page：3 Pages	Medium Power Transistor (Motor, Relay drive) (60??0V, 2A) Features 1)Built-inzenerdiodebetweencollectorandbase. 2)StrongprotectionagainstreversesurgesduetoL loads. 3)Built-inresistorbetweenbaseandemitter. 4)Built-indamperdiode.	LittelfuseLittelfuse Inc. 力特力特公司	Littelfuse
2SD1866TV2	文件：107.08 Kbytes Page：3 Pages	Medium Power Transistor (Motor, Relay drive) (60??0V, 2A) Features 1)Built-inzenerdiodebetweencollectorandbase. 2)StrongprotectionagainstreversesurgesduetoL loads. 3)Built-inresistorbetweenbaseandemitter. 4)Built-indamperdiode.	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
2SD1867	文件：81.2 Kbytes Page：4 Pages	Power Transistor (100V , 2A) Features 1)DarlingtonconnectionforhighDCcurrentgain. 2)Built-inresistorbetweenbaseandemitter. 3)Built-indamperdiode. 4)Complementsthe2SB1580/2SB1316.	ROHMRohm Semiconductor 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
2SD1867	文件：70.24 Kbytes Page：1 Pages	Transistors PowerTransistor(+/-100V/+/-2A)	ROHMRohm Semiconductor 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
2SD1867	文件：87.76 Kbytes Page：4 Pages	Power Transistor (100V, 2A) Features 1)DarlingtonconnectionforhighDCcurrentgain. 2)Built-inresistorbetweenbaseandemitter. 3)Built-indamperdiode. 4)Complementsthe2SB1580/2SB1316.	ROHMRohm Semiconductor 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
2SD1868	文件：30.96 Kbytes Page：6 Pages	Silicon NPN Epitaxial Application Lowfrequencyhighvoltageamplifier	HitachiHitachi, Ltd. 日立公司	Hitachi
2SD1868	文件：153.8 Kbytes Page：8 Pages	Silicon NPN Epitaxial Application Lowfrequencyhighvoltageamplifier	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
2SD1869	文件：30.96 Kbytes Page：6 Pages	Silicon NPN Epitaxial Application Lowfrequencyhighvoltageamplifier	HitachiHitachi, Ltd. 日立公司	Hitachi

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晶体管资料

型号：
2SD186
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Ge-NPN
性质：
低频或音频放大（LF）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
25V
最大电流允许值：
0.15A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
3
可代换的型号：
AC127,AC176,AC187,2N1302,2SD30,2SD72,3BX81B,
最大耗散功率：
0.2W
放大倍数：
图片代号：
C-47
vtest：
25
htest：
999900
atest：
.15
wtest：
.2

详细参数

型号：
2SD186
制造商：
Distributed By MCM
功能描述：
SUB ONLY TRANSISTOR ATV50V .5A .6W ECB

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市特顺芯科技有限公司	2SD186	SANYO	98		7700		询价
深圳市振宏微科技有限公司	2SD186	ST	23+	CAN to-39	16900	支持样品,原装现货,提供技术支持!	询价
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更多2SD186供应商更新时间2024-4-29 16:30:00

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