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2SD1912

文件：256.589 Kbytes

Page：2 Pages

isc Silicon NPN Power Transistor

DESCRIPTION ·Collector-EmitterBreakdownVoltage-:V(BR)CEO=60V(Min) ·WideAreaofSafeOperation ·LowCollectorSaturationVoltage APPLICATIONS ·Designedforlowfrequencypoweramplifierapplications.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

2SD1912

文件：701.94 Kbytes

Page：8 Pages

LOW FREQUENCY POWER AMP APPLICATIONS

SANYOSanyo

三洋三洋电机株式会社

晶体管资料

型号：
2SD1912
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-NPN
性质：
低频或音频放大（LF）_功率放大（L）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
60V
最大电流允许值：
3A
最大工作频率：
100MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
BD241A,BD535,BD539A,2SC3252,2SD288,2SD289,2SD856,2SD880,2SD1505,
最大耗散功率：
30W
放大倍数：
图片代号：
B-10
vtest：
60
htest：
100000000
atest：
3
wtest：
30

详细参数

型号：
2SD1912
制造商：
Distributed By MCM
功能描述：
SUB ONLY SANYO TRANS. TO-220AB 60V 3A 30W BCE

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