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2SD1816S-H	文件：366.77 Kbytes Page：9 Pages	Bipolar Transistor Features •LowCollectortoEmitterSaturationVoltage •SmallandSlimPackageFacilitatingCompactnessofSets •HighfT •GoodLinearityofhFE •FastSwitchingTime TypicalApplications •SuitableforRelayDrivers •HighSpeedInverters •Converters •OtherGeneralHighCurrentSwit	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
2SD1816S-H	文件：468.71 Kbytes Page：7 Pages	Bipolar Transistor Features •LowCollectortoEmitterSaturationVoltage •SmallandSlimPackageFacilitatingCompactnessofSets •HighfT •GoodLinearityofhFE •FastSwitchingTime TypicalApplications •SuitableforRelayDrivers •HighSpeedInverters •Converters •OtherGeneralHighCurrentSwit	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
2SD1816S-H	文件：366.77 Kbytes Page：9 Pages	Bipolar Transistor (-)100V, (-)4A, Low VCE(sat), (PNP)NPN Single TP/TP-FA	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
2SD1816S-H	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带封装/外壳：TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA 类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN 100V 4A TP	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
2SD1816	文件：126.45 Kbytes Page：4 Pages	High-CurrentSwitchingApplications High-CurrentSwitchingApplications Features •Lowcollector-to-emittersaturationvoltage. •GoodlinearityofhFE. •Smallandslimpackagefacilitatingcompactnessofsets. •HighfT. •Fastswitchingtime. Applications •Suitableforrelaydrivers,high-speedinverters, convert	SANYOSanyo 三洋三洋电机株式会社	SANYO
2SD1816	文件：219.29 Kbytes Page：4 Pages	HIGHCURRENTSWITCHIGAPPLICATIONS HIGHCURRENTSWITCHIGAPPLICATIONS FEATURES Lowcollector-to-emittersaturationvoltage GoodlinearityofhFE Smallandslimpackagefacilitatingcompactnessofsets. HighfT *Fastswitchingspeed	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
2SD1816	文件：154.87 Kbytes Page：5 Pages	High-CurrentSwitchingApplications	SANYOSanyo 三洋三洋电机株式会社	SANYO
2SD1816	文件：243.56 Kbytes Page：5 Pages	HIGHCURRENTSWITCHIGAPPLICATION	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
2SD1816	文件：468.71 Kbytes Page：7 Pages	BipolarTransistor Features •LowCollectortoEmitterSaturationVoltage •SmallandSlimPackageFacilitatingCompactnessofSets •HighfT •GoodLinearityofhFE •FastSwitchingTime TypicalApplications •SuitableforRelayDrivers •HighSpeedInverters •Converters •OtherGeneralHighCurrentSwit	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
2SD1816	文件：363.56 Kbytes Page：3 Pages	4A,120VNPNEpitaxialPlanarSiliconTransistor FEATURES •LowCollector-to-EmitterSaturationVoltage •ExcellentLinearityofhFE •HighfT •FastSwitchingTime	SECOS SeCoS Halbleitertechnologie GmbH	SECOS
2SD1816	文件：366.77 Kbytes Page：9 Pages	BipolarTransistor(-)100V,(-)4A,LowVCE(sat),(PNP)NPNSingleTP/TP-FA	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
2SD1816	文件：366.77 Kbytes Page：9 Pages	BipolarTransistor Features •LowCollectortoEmitterSaturationVoltage •SmallandSlimPackageFacilitatingCompactnessofSets •HighfT •GoodLinearityofhFE •FastSwitchingTime TypicalApplications •SuitableforRelayDrivers •HighSpeedInverters •Converters •OtherGeneralHighCurrentSwit	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
2SD1816	文件：266.18 Kbytes Page：3 Pages	iscSiliconNPNPowerTransistor DESCRIPTION •ExcellentlinearityofhFE •Smallandslimpackagefacilitatingcompactnessofsets •Lowcollector-to-emittersaturationvoltage •Fastswitchingspeed •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation APPLICATION	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
2SD1816	文件：300.06 Kbytes Page：3 Pages	SiliconNPNPowerTransistor FEATURES ·ExcellentlinearityofhFE ·Smallandslimpackagefacilitatingcompactnessofsets ·Lowcollector-to-emittersaturationvoltage ·Fastswitchingspeed ·HighfT APPLICATIONS ·Relaydrivers,Highspeedinverters,convertersandother generalhigh-currentswitchingapplications	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
2SD1816	文件：281.01 Kbytes Page：3 Pages	SiliconNPNPowerTransistor FEATURES ·ExcellentlinearityofhFE ·Smallandslimpackagefacilitatingcompactnessofsets ·Lowcollector-to-emittersaturationvoltage ·Fastswitchingspeed ·HighfT APPLICATIONS ·Relaydrivers,Highspeedinverters,convertersandother generalhigh-currentswitchingapplications	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
2SD1816L	文件：283.47 Kbytes Page：2 Pages	iscSiliconNPNPowerTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
2SD1816-Q	文件：1.16238 Mbytes Page：3 Pages	NPNTransistors	KEXINGUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
2SD1816-R	文件：1.16238 Mbytes Page：3 Pages	NPNTransistors	KEXINGUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
2SD1816-S	文件：1.16238 Mbytes Page：3 Pages	NPNTransistors	KEXINGUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
2SD1816S-E	文件：366.77 Kbytes Page：9 Pages	BipolarTransistor Features •LowCollectortoEmitterSaturationVoltage •SmallandSlimPackageFacilitatingCompactnessofSets •HighfT •GoodLinearityofhFE •FastSwitchingTime TypicalApplications •SuitableforRelayDrivers •HighSpeedInverters •Converters •OtherGeneralHighCurrentSwit	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI

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产品属性

产品编号：
2SD1816S-H
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
晶体管类型：
NPN
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
400mV @ 200mA，2A
电流 - 集电极截止（最大值）：
1µA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
140 @ 500mA，5V
频率 - 跃迁：
180MHz
工作温度：
150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA
供应商器件封装：
TP
描述：
TRANS NPN 100V 4A TP

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多2SD1816S-H供应商更新时间2024-6-6 14:17:00

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