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2SD1816S-E分立半导体产品晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF中文资料
厂商型号 |
2SD1816S-E |
参数属性 | 2SD1816S-E 封装/外壳为TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA;包装为散装;类别为分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个;产品描述:TRANS NPN 100V 4A TP |
功能描述 | Bipolar Transistor |
文件大小 |
366.77 Kbytes |
页面数量 |
9 页 |
生产厂商 | ON Semiconductor |
企业简称 |
ONSEMI【安森美半导体】 |
中文名称 | 安森美半导体公司官网 |
原厂标识 | |
数据手册 | |
更新时间 | 2024-5-17 22:58:00 |
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2SD1816S-E规格书详情
Features
• Low Collector to Emitter Saturation Voltage
• Small and Slim Package Facilitating Compactness of Sets
• High fT
• Good Linearity of hFE
• Fast Switching Time
Typical Applications
• Suitable for Relay Drivers
• High Speed Inverters
• Converters
• Other General High Current Switching Applications
2SD1816S-E属于分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个。安森美半导体公司制造生产的2SD1816S-E晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。
产品属性
- 产品编号:
2SD1816S-E
- 制造商:
onsemi
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
- 包装:
散装
- 晶体管类型:
NPN
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):
400mV @ 200mA,2A
- 电流 - 集电极截止(最大值):
1µA(ICBO)
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):
70 @ 500mA,5V
- 频率 - 跃迁:
180MHz
- 工作温度:
150°C(TJ)
- 安装类型:
通孔
- 封装/外壳:
TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA
- 供应商器件封装:
TP
- 描述:
TRANS NPN 100V 4A TP
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
ON |
2016+ |
TO-251 |
3500 |
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onsemi(安森美) |
23+ |
IPAK |
6000 |
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三年内 |
1983 |
纳立只做原装正品13590203865 |
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onsemi(安森美) |
23+ |
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