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2SD1790	文件：463.23 Kbytes Page：8 Pages	Darlington Transistor(짹 4A NPN) DarlingtonTransistor±4ANPN	SHINDENGENSHINDENGEN ELECTRIC MANUFACTURING CO.LTD 新电元（上海）电器有限公司	SHINDENGEN
2SD1790	文件：273.58 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon NPN Darlington Power Transistor DESCRIPTION •LowCollectorSaturationVoltage •HighDCCurrentGain •HighReliability •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdeviceperformanceandreliableoperation APPLICATIONS •Designedforaudiofrequencypoweramplifierandlowspeedhighcurrentswitchingindustrialuse.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
2SD1791	文件：444.23 Kbytes Page：9 Pages	Darlington Transistor(7A NPN) DarlingtonTransistor	SHINDENGENSHINDENGEN ELECTRIC MANUFACTURING CO.LTD 新电元（上海）电器有限公司	SHINDENGEN
2SD1791	文件：242.16 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon NPN Darlington Power Transistor DESCRIPTION •Collector-EmitterSustainingVoltage- :VCEO(SUS)=100V(Min.) •HighSwitchingSpeed APPLICATIONS •Designedforaudiofrequencypoweramplifierandlow speedhighcurrentswitchingindustrialuse.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
2SD1792	文件：442.16 Kbytes Page：9 Pages	Darlington Transistor(7A NPN) StorageTemperatureTstg-55～+150℃ JunctionTemperatureTj+150℃ CollectortoBaseVoltageVCBO200V CollectortoEmitterVoltageVCEO200V	SHINDENGENSHINDENGEN ELECTRIC MANUFACTURING CO.LTD 新电元（上海）电器有限公司	SHINDENGEN
2SD1792	文件：223.83 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION ·WithITO-220package ·Switchingpowertransistor ·DARLINGTON VCBOCollector-basevoltageOpenemitter200V VCEOCollector-emittervoltageOpenbase200V VEBOEmitter-basevoltageOpencollector7V	SAVANTIC Savantic, Inc.	SAVANTIC
2SD1793	文件：467.69 Kbytes Page：9 Pages	Darlington Transistor(10A NPN) DarlingtonTransistor(10ANPN)	SHINDENGENSHINDENGEN ELECTRIC MANUFACTURING CO.LTD 新电元（上海）电器有限公司	SHINDENGEN
2SD1793	文件：242.13 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon NPN Darlington Power Transistor SiliconNPNDarlingtonPowerTransistor DESCRIPTION ·Collector-EmitterSustainingVoltage-:VCEO(SUS)=100V(Min.) ·HighSwitchingSpeed APPLICATIONS ·Designedforaudiofrequencypoweramplifierandlowspeedhighcurrentswitchingindustrialuse.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
2SD1794	文件：466.76 Kbytes Page：9 Pages	Darlington Transistor(10A NPN) DarlingtonTransistor10ANPN	SHINDENGENSHINDENGEN ELECTRIC MANUFACTURING CO.LTD 新电元（上海）电器有限公司	SHINDENGEN
2SD1794	文件：241.64 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon NPN Darlington Power Transistor DESCRIPTION •Collector-EmitterSustainingVoltage-:VCEO(SUS)=200V(Min.) •HighSwitchingSpeed APPLICATIONS •Designedforaudiofrequencypoweramplifierandlowspeedhighcurrentswitchingindustrialuse.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
2SD1795	文件：446.09 Kbytes Page：9 Pages	Darlington Transistor(10A NPN) DarlingtonTransistor 10ANPN	SHINDENGENSHINDENGEN ELECTRIC MANUFACTURING CO.LTD 新电元（上海）电器有限公司	SHINDENGEN
2SD1795	文件：85.47 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION ·WithITO-220package ·Switchingpowertransistor ·DARLINGTON	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
2SD1796	文件：26.45 Kbytes Page：1 Pages	Silicon NPN Triple Diffused Planar Transistor(Driver for Solenoid, Relay and Motor and General Purpose) Built-inAvalancheDiodeforSurgeAbsorbingDarlington Application:DriverforSolenoid,RelayandMotorandGeneralPurpose	SankenSanken Electric Co Ltd. 三垦日本三垦	Sanken
2SD1799	文件：73.1 Kbytes Page：3 Pages	Driver Applications??? DriverApplications Features •HighDCcurrentgain(hFE≥4000). •WideASO. •Largecurrentcapacity. •Smallandslimpackagemakingiteasytomake2SD1799-appliedsetssmaller. Applications •Motordrivers,printerhammerdrivers,relaydrivers,voltageregulatorcontrol.	SANYOSanyo 三洋三洋电机株式会社	SANYO
2SD1792	文件：225.43 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistors	SAVANTIC Savantic, Inc.	SAVANTIC
2SD1792	文件：131.68 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistors	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
2SD1796	文件：35.34 Kbytes Page：1 Pages	Silicon NPN Triple Diffused Planar Transistor	SankenSanken Electric Co Ltd. 三垦日本三垦	Sanken
2SD1796_01	文件：34.87 Kbytes Page：1 Pages	Silicon NPN Triple Diffused Planar Transistor	SankenSanken Electric Co Ltd. 三垦日本三垦	Sanken
2SD1797	文件：133.29 Kbytes Page：1 Pages	TRIPLE DIFFUSED PLANRT TYPE HIGH POWER DARLINGTON	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
2SD1796	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带封装/外壳：TO-220-3 整包类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN DARL 60V 4A TO220F	SankenSanken Electric Co Ltd. 三垦日本三垦	Sanken

晶体管资料

型号：
2SD1790
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-N+Darl+Di
性质：
INT.Z_DIODE(B->C)
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
60V
最大电流允许值：
4A
最大工作频率：
50MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
最大耗散功率：
25W
放大倍数：
β>1500
图片代号：
B-5
vtest：
60
htest：
50000000
atest：
4
wtest：
25

详细参数

型号：
2SD179
制造商：
Distributed By MCM
功能描述：
SUB ONLY SHINDENGEN TRANSISTOR ITO-220 60V 4A 25W BCE

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多2SD179供应商更新时间2024-5-31 16:00:00

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