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2SD1706	文件：255.75 Kbytes Page：2 Pages	iscSiliconNPNPowerTransistor DESCRIPTION ·Collector-EmitterBreakdownVoltage-:V(BR)CEO=80V(Min) ·GoodLinearityofhFE ·LowCollectorSaturationVoltage-:VCE(sat)=0.5V(Max.)@IC=7A ·ComplementtoType2SB1155 APPLICATIONS ·Designedforpowerswitchingapplications	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
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2SD1706

文件：255.75 Kbytes

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iscSiliconNPNPowerTransistor

DESCRIPTION ·Collector-EmitterBreakdownVoltage-:V(BR)CEO=80V(Min) ·GoodLinearityofhFE ·LowCollectorSaturationVoltage-:VCE(sat)=0.5V(Max.)@IC=7A ·ComplementtoType2SB1155 APPLICATIONS ·Designedforpowerswitchingapplications

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC

2SD1706

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SILICONNPNEPITAXIALPLANARTYPEPOWERSWITCHING

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更多2SD1706TLQ供应商更新时间2024-6-18 16:38:00

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