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2SD1706	文件：255.75 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION ·Collector-EmitterBreakdownVoltage-:V(BR)CEO=80V(Min) ·GoodLinearityofhFE ·LowCollectorSaturationVoltage-:VCE(sat)=0.5V(Max.)@IC=7A ·ComplementtoType2SB1155 APPLICATIONS ·Designedforpowerswitchingapplications	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
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2SD1706

文件：255.75 Kbytes

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isc Silicon NPN Power Transistor

DESCRIPTION ·Collector-EmitterBreakdownVoltage-:V(BR)CEO=80V(Min) ·GoodLinearityofhFE ·LowCollectorSaturationVoltage-:VCE(sat)=0.5V(Max.)@IC=7A ·ComplementtoType2SB1155 APPLICATIONS ·Designedforpowerswitchingapplications

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC

2SD1706

文件：174.44 Kbytes

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SILICON NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE POWER SWITCHING

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PanasonicPanasonic Corporation

松下松下电器

Panasonic

晶体管资料

型号：
2SD1706
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-NPN
性质：
低频或音频放大（LF）_开关管（S）_功率放大（L
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
130V
最大电流允许值：
15A
最大工作频率：
20MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
BD7453,2SC2750,2SC2987A,2SD1047,
最大耗散功率：
80W
放大倍数：
图片代号：
B-45
vtest：
130
htest：
20000000
atest：
15
wtest：
80

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更多2SD1706供应商更新时间2024-5-16 10:20:00

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