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2SD1664Q	文件：458.25 Kbytes Page：6 Pages	GENERAL PURPOSE TRANSISTOR NPN SILICON EPITAXIAL MEDIUM POWER TRANSISTOR	AITSEMIAiT Semiconductor Inc. AiT創瑞科技	AITSEMI
2SD1664	文件：118.61 Kbytes Page：3 Pages	MediumPowerTransistor(32V,1A) MediumPowerTransistor(32V,1A) Features 1)LowVCE(sat)=0.15V(Typ.) (lC/lB=500mA/50mA) 2)Compliments2SB1132/2SB1237	ROHMRohm Semiconductor 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
2SD1664	文件：188.38 Kbytes Page：3 Pages	MEDIUMPOWERNPNTRANSISTOR MEDIUMPOWERNPNTRANSISTOR DESCRIPTION TheUTC2SD1664isanepitaxialplanartypeNPNsilicontransistor. FEATURES LowVCE(SAT):VCE(SAT)=0.15V(Typ.) (IC/IB=500mA/50mA) Complementthe2SB1132.	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
2SD1664	文件：129.94 Kbytes Page：4 Pages	MediumPowerTransistor(32V,1A)	ROHMRohm Semiconductor 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
2SD1664	文件：365.37 Kbytes Page：3 Pages	MediumPowerTransistor Features LowVCE(sat) Complimentsto2SB1132	KEXINGUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
2SD1664	文件：118.74 Kbytes Page：3 Pages	NPNSiliconGeneralPurposeTransistor Features Powerdissipation PCM:0.5W(Tamb=25oC) Collectorcurrent ICM:1A Collector-basevoltage V(BR)CBO:40V Operating&StoragejunctionTemperature Tj,Tstg:-55C~+150COO	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
2SD1664	文件：173.46 Kbytes Page：4 Pages	MediumPowerTransistor(32V,1A)	ROHMRohm Semiconductor 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
2SD1664	文件：278.75 Kbytes Page：5 Pages	NPNEpitaxialPlanarTransistors Features: *LowVCE(sat),VCE(sat)=0.15V(typical).(IC/IB=500mA/50mA)	WEITRONWEITRON 威堂電子科技	WEITRON
2SD1664	文件：123.61 Kbytes Page：4 Pages	MEDIUMPOWERNPNTRANSISTOR	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
2SD1664	文件：755.08 Kbytes Page：3 Pages	TRANSISTOR(NPN) FEATURES LowVCE(sat),VCE(sat)=0.15V(typical).(IC/IB=500mA/50mA) Complementsto2SB1132	HTSEMIShenzhen Jin Yu Semiconductor Co., Ltd. 金誉半导体深圳市金誉半导体股份有限公司	HTSEMI
2SD1664	文件：126.65 Kbytes Page：1 Pages	TRANSISTOR(NPN) FEATURES Powerdissipation PCM:0.5W(Tamb=25℃) Collectorcurrent ICM:1A Collector-basevoltage V(BR)CBO:40V Operatingandstoragejunctiontemperaturerange TJ,Tstg:-55℃to+150℃	WINNERJOINSHENZHEN YONGERJIA INDUSTRY CO.,LTD 永而佳实业深圳市永而佳实业有限公司	WINNERJOIN
2SD1664	文件：230.12 Kbytes Page：2 Pages	Plastic-EncapsulateTransistors	HOTTECHGuangdong Hottech Co. Ltd. 合科泰广东合科泰实业有限公司	HOTTECH
2SD1664	文件：963.1 Kbytes Page：6 Pages	SiliconNPNtransistorinaSOT-89PlasticPackage	FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd. 蓝箭电子佛山市蓝箭电子股份有限公司	FOSHAN
2SD1664	文件：942.09 Kbytes Page：4 Pages	NPNTransistors	YFWDIODEDONGGUAN YOU FENG WEI ELECTRONICS CO., LTD 佑风微电子广东佑风微电子有限公司	YFWDIODE
2SD1664	文件：1.64261 Mbytes Page：4 Pages	SOT-89-3LPlastic-EncapsulateTransistors	JIANGSU Jiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd	JIANGSU
2SD1664	文件：798.95 Kbytes Page：2 Pages	NPNEpitaxialPlanarSiliconTransistors	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体公司	MCC
2SD1664	文件：458.86 Kbytes Page：4 Pages	Lowsaturationvoltage:VCE(sat)=0.15V	LEIDITECHShanghai Leiditech Electronic Technology Co., Ltd 雷卯电子上海雷卯电子科技有限公司	LEIDITECH
2SD1664	文件：191.79 Kbytes Page：4 Pages	MediumPowerTransistor	BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited 世纪微电子常州银河世纪微电子股份有限公司	BILIN
2SD1664	文件：458.25 Kbytes Page：6 Pages	GENERALPURPOSETRANSISTORNPNSILICONEPITAXIALMEDIUMPOWERTRANSISTOR	AITSEMIAiT Semiconductor Inc. AiT創瑞科技	AITSEMI
2SD1664	文件：496.35 Kbytes Page：4 Pages	MediumPowerTransistor(32V,1A) FEATURES Lowsaturationvoltage:VCE(sat)=0.15V(typ.) (IC/iB=500mA/50mA) PC=0.5W Complementthe2SB1132. APPLICATIONS NPNsilicontransistor.	DGNJDZNanjing International Group Co 南晶电子东莞市南晶电子有限公司	DGNJDZ

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供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多2SD1664Q供应商更新时间2024-6-15 14:00:00

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